电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 10V | 容差 | ±2% |
功率 - 最大值 | 375mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 10 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 200nA @ 7V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOD-123F | 供应商器件封装 | SOD-123F |
BZT52H-B10,115 是由Nexperia(安世半导体)生产的一款独立式稳压二极管,旨在提供稳定的电压输出以保护电子设备免受过压影响。该元器件的标称齐纳电压为10V,适用于各种电源管理和电压保护应用。
齐纳电压(Vz):该稳压二极管的标称齐纳电压为10V,工作范围在9.8V 至 10.2V 之间,这意味着该器件可以在特定的电流条件下保持稳定的电压输出,提高了电路的可靠性。
容差:其容差为±2%,在电压波动较大的条件下依然能够保持较高的稳定性,这对于敏感的电子应用尤其重要。
最大功率:BZT52H-B10,115 的最大功率为375mW,确保在高负载条件下也能正常工作,适合于多种应用环境。
反向泄漏电流:在7V的工作电压下,其反向泄漏电流仅为200nA,说明该二极管在非导通状态下的能耗极低,适合用在低功耗电路中。
正向电压(Vf):在10mA的电流下,其正向电压为900mV,适合于大部分数字电路和信号处理电路中。
阻抗(Zzt):最大阻抗为10 Ohms,意味着在稳压状态下,该器件能够快速响应负载的变化,保持稳定的电压输出。
BZT52H-B10,115 的工作温度范围为-65°C 到 150°C,使其能够在极端温度环境中工作。这一特性使其在汽车电子、工业控制、航空航天乃至消费电子等领域广泛应用。
BZT52H-B10,115 采用 SOD-123F 封装,属于表面贴装型(SMD)器件。SOD-123F 封装小巧且易于安装,适合高密度电路板的设计,提高了电路的整体集成度,减少了PCB占用面积。
由于其出色的电压稳定性、低功耗和宽广的工作温度范围,BZT52H-B10,115 在多个应用领域表现优异,包括但不限于:
BZT52H-B10,115 是一款性能优异的稳压二极管,凭借其宽广的工作温度范围、低反向泄漏电流和稳压特性,能满足多种行业的需求。无论在电源保护、信号调理,还是在其他电子应用中,该器件都能提供稳定可靠的性能,是现代电子设计中不可或缺的重要器件。Nexperia(安世)的品牌保障也为其产品质量提供了坚实的基础。