RX3G07CGNC16
RX3G07CGNC16参数
| 制造商 | Rohm Semiconductor | 包装 | 管件 |
| 零件状态 | 有源 | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 70A（Tc） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.7 毫欧 @ 70A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 500µA |
| Vgs（最大值） | ±20V | 功率耗散（最大值） | 78W（Tc） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2410pF @ 20V |
RX3G07CGNC16手册
RX3G07CGNC16概述
RX3G07CGNC16 产品概述
一、基本信息
RX3G07CGNC16 是由知名半导体制造商 Rohm Semiconductor 生产的一款高性能 N 通道 MOSFET 场效应管。该元器件采用 TO-220AB 封装，专为高电流和高电压应用设计，展示出优秀的热性能和电气特性，适用于需要高效能开关和放大的电子电路。
二、主要参数
- 制造商: Rohm Semiconductor
- 零件状态: 有源
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物）
- 25°C 时电流 (Id): 70A（Tc）
- 导通电阻 (Rds(on)): 最大 4.7 毫欧 @ 70A，10V
- 栅源阈值电压 (Vgs(th)): 最大 2.5V @ 500µA
- 最大栅源电压 (Vgs): ±20V
- 最大功率耗散: 78W（Tc）
- 工作温度: 高达 150°C（TJ）
- 供应商器件封装: TO-220AB
- 漏源电压 (Vdss): 40V
- 栅极电荷 (Qg): 最大 32nC @ 10V
- 输入电容 (Ciss): 最大 2410pF @ 20V
三、性能特点
高电流承载能力: RX3G07CGNC16 在 25°C 的环境下可以承载高达 70A 的连续漏极电流，极大地满足了对大电流应用的需求，大幅提升了设计的灵活性。
低导通电阻: 该器件的最大导通电阻为 4.7 毫欧，即便在高电流条件下，能有效降低功耗和温升，从而提高系统效率和稳定性。
宽栅源电压范围: 该 MOSFET 的栅源电压可高达 ±20V，适用于各种驱动电路，包括传统的 TTL 逻辑和更高电平的栅极驱动电路，为电路设计提供灵活性。
高功率耗散能力: 该器件最大功率耗散为 78W，允许在恶劣工作环境下使用，同时配合合理的散热设计，可以在 150°C 的工作温度下稳定运行，适合汽车电子、工业控制等高温应用。
快速开关特性: 通过较低的栅极电荷 (Qg) 和输入电容 (Ciss)，RX3G07CGNC16 支持高频开关操作，使其非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器等快速转换应用，进一步提升了电路性能。
四、应用场景
由于其优异的性能，RX3G07CGNC16 在多个领域都有广泛应用，包括：
开关电源: 适用于高效率的 DC-DC 转换器，从而提高能量转换率，降低能量损耗。
电机驱动: 在无刷直流电动机和步进电机的驱动中，能够提供强大的开关性能，适用于工业自动化和家电控制。
电动工具和汽车电子: 鉴于其高电流和温度承受能力，特别适合应用于电动工具和汽车动力控制系统。
高功率负载控制: 可以用于照明、加热等大功率设备的开关控制，从而提升系统的能效和安全性。
五、总结
RX3G07CGNC16 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，凭借其高电流承载能力、低导通电阻、宽栅源电压范围和高功率耗散能力，成为了电子设计中的理想选择。适用于多种高频、高效能的电路应用，为推动技术进步与高效设计提供了重要支持。无论是在工业设备、汽车电子还是消费类产品中，RX3G07CGNC16 都表现出卓越的适应性与可靠性，预示着一个高效能电子时代的到来。