制造商 | Nexperia USA Inc. | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | 2 个 NPN 预偏压式(双) |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V |
电阻器 - 基极 (R1) | 2.2 千欧 | 电阻器 - 发射极 (R2) | 47 千欧 |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 100mV @ 250µA,5mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 1µA | 功率 - 最大值 | 300mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商器件封装 | 6-TSSOP | 基本产品编号 | P*MH10 |
产品概述:PUMH10,125 数字晶体管
制造商及品牌背景 PUMH10,125 是由 Nexperia USA Inc. 生产的数字晶体管,品牌 Nexperia(安世),专注于提供高性能的半导体产品。Nexperia 以其在小型表面贴装技术(SMD)领域的专业知识而闻名,为客户提供可靠的解决方案。
产品特性 PUMH10,125 是一种有源的二极管晶体管,采用双 NPN 预偏压式结构,适用于各种数字应用。其主要特性包括:
电流与电压: 该产品的额定集电极电流(Ic)最大值为 100mA,集射极击穿电压(Vce(max))为 50V,满足众多中小功率的需求。这使得 PUMH10,125 可以有效作用于大多数消费电子产品及工业设备中。
功率处理能力: 最大功率处理能力为 300mW,适合于对功率要求不高的电路。其低功耗特性在设计中也有助于延长系统的使用寿命及提升效率。
增益特性: 在不同的集电极电流(Ic)和集射极电压(Vce)条件下,PUMH10,125 的直接电流增益(hFE)最小值为 100 (@ 10mA,5V)。这使得该器件能够在小信号放大及开关应用中表现优异。
饱和压降: 在饱和状态下,Vce 的最大电压降为 100mV (@ 250µA,5mA),这意味着在开关操作中,器件的功率损耗较小,进一步提高了效率。
截止电流: 集电极截止电流最大值为 1µA,确保器件在非导通状态下的低漏电流,有助于增强系统的整体性能和稳定性。
封装和安装 PUMH10,125 采用 6-TSSOP 封装(SOT-363),这是一种小型封装类型,适合于高密度电路板布局。表面贴装(SMD)工艺使得PUMH10,125易于集成到自动化生产线中,提升生产效率及可靠性。
应用场景 PUMH10,125 适用于众多电子设备,主要应用领域包括但不限于:
消费电子: 在手机、平板电脑和其他便携式设备中,作为开关控制和信号放大的元件, PUMH10,125 能够在低功耗的前提下实现高效的功能。
工业设备: 在工业自动化和控制系统中,PUMH10,125可以用于信号处理和驱动电路,确保设备的响应速度和稳定性。
电源管理: 由于其低饱和压降和低截止电流,PUMH10,125 非常适合用于电源管理电路中,优化电源的使用效率和稳定性。
传感器与检测: 该元件也可用于传感器电路,提供信号放大和处理能力,以提高系统的灵敏度和准确性。
总结 PUMH10,125 是一款性能卓越、应用广泛的数字晶体管,凭借其优良的电气特性和小型化设计,适应了现代电子产品对小型化和高效能的要求。无论在消费电子还是工业应用中,PUMH10,125都能为产品设计提供强有力的支持,是工程师不可或缺的选择。适合需要较高增益、低功耗以及小型封装的电路设计,为实现性能优化提供了理想的解决方案。