MMBTA42,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

MMBTA42,215

商品编码: BM0084327680
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
SOT-23-3
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
三极管(BJT) 250mW 300V 100mA NPN TO-236-3
库存 :
13536(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.786
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.786
--
200+
¥0.262
--
1500+
¥0.164
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

MMBTA42,215参数

晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)300V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 2mA,20mA
电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 30mA,10V
功率 - 最大值250mW频率 - 跃迁50MHz
工作温度150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供应商器件封装TO-236AB

MMBTA42,215手册

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MMBTA42,215概述

MMBTA42,215 产品概述

基本信息 MMBTA42,215 是一款高性能 NPN 型晶体管,专为各种中低功率电子应用设计。其主要特点包括较高的电压和电流承受能力,快速的开关特性,以及良好的电流增益。这款晶体管具有表面贴装封装(SOT-23-3),因此非常适合现代电子设备的小型化和高密度设计要求。

技术规格

  • 晶体管类型: NPN
  • 最大集电极电流 (Ic): 100mA
  • 最大集射极击穿电压 (Vce): 300V
  • 饱和压降 (Vce(sat)): 500mV(@ 2mA, 20mA)
  • 集电极截止电流 (ICBO): 100nA
  • 直流电流增益 (hFE): 最小值为40(@ 30mA, 10V)
  • 功率最大值: 250mW
  • 频率 - 跃迁: 50MHz
  • 工作温度: 150°C (TJ)
  • 安装类型: 表面贴装型
  • 封装形式: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • 供应商器件封装: TO-236AB

应用场景 MMBTA42,215 广泛应用于各种电子电路,如信号放大、开关电路、继电器驱动、LED驱动等。其高电压和电流特性使其特别适用于需要较高输入电压的电路,如音频放大器和电源管理应用。此外,由于其快速的切换速度(高达50MHz),它也非常适合用于射频应用和高速数字电路。

性能特点

  1. 高电压耐受能力: 该组件能够承受高达300V的电压,适合在高压环境下工作,为用户提供了极大的设计灵活性。
  2. 低饱和压降: 在较低的集电极电流(如2mA和20mA)条件下,Vce饱和压降仅为500mV,降低了功耗,提升了效率。
  3. 较小的集电极截止电流 (ICBO): 最大值为100nA,保证了在关断状态下的低泄漏电流,提高了电路的稳定性和可靠性。
  4. 宽广的工作温度范围: 该元件的工作温度可达150°C,适合在恶劣的工作环境中使用,增加了其应用的广泛性。

封装与安装 MMBTA42,215 采用 SOT-23-3 表面贴装封装,适合自动化生产线的用料和布局要求。这种封装形式的特点是体积小,便于集成在各种电路中,尤其是在空间受限的设备中,如手机、平板电脑、便携式电子产品等。

总结 MMBTA42,215 作为一款高效能的 NPN 晶体管,凭借其超高的电压承受能力、低功耗特性以及广泛的应用场景,成为了众多电子设计中的理想选择。其快速的开关特性和高电流增益使其特别适合于需要快速响应和高性能的电路。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等领域,MMBTA42,215 都展现出了其卓越的性能和可靠性,为设计师提供了强有力的支持。