STD4NK50Z-1
STD4NK50Z-1参数
| 制造商 | STMicroelectronics | 系列 | SuperMESH™ |
| 包装 | 管件 | 零件状态 | 停產 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.7 欧姆 @ 1.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 50µA |
| Vgs（最大值） | ±30V | 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | I-PAK | 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 漏源电压（Vdss） | 500V | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 310pF @ 25V | 基本产品编号 | STD4N |
STD4NK50Z-1手册
STD4NK50Z-1概述
产品概述：STD4NK50Z-1
制造商与系列背景
STD4NK50Z-1 是由STMicroelectronics（意法半导体）生产的一款高性能N通道MOSFET，属于SuperMESH™系列。SuperMESH™系列以其优越的导通性能和低的开关损耗而广受欢迎，广泛应用于各种高频、高效率的电源转换和驱动设置。在现代电子设备中，MOSFET已成为实现高效控制和能量管理的核心组件。
产品规格与特性
STD4NK50Z-1的封装类型为TO-251-3（I-PAK），这是一种通孔安装的标準真空封装，适合在空间受限或需要良好散热性能的应用场景下使用。该元器件在25°C环境下具有3A的连续漏极电流能力，超高的漏源电压（Vdss）为500V，显示出其在高压应用中的可靠性和稳定性。这使得STD4NK50Z-1非常适合用于电源管理、马达驱动和其他高电压的电子电路中。
电气性能
作为一款MOSFET，STD4NK50Z-1呈现出理想的导电特性。其导通电阻（Rds(on)）在1.5A及10V Vgs时的最大值为2.7欧姆，这意味着在有效的驱动条件下，其功率损耗较低，能够提高系统的总体能效。此外，该MOSFET的栅阀电压（Vgs）最大值为±30V，为电路设计提供了更大的灵活性。其阈值电压（Vgs(th)）在50µA条件下的最大值为4.5V，确保了开关响应速度的同时，也保证了系统的稳定性。
热管理与功率损耗
STD4NK50Z-1的热特性同样卓越，其最大功率耗散能力达到45W（Tc），并且工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，适合在极端温度环境中工作。考虑到现代电子设备在高负载条件下的热管理需求，该元器件的优秀散热特性使其在多样化应用场合中拥有更强的适应性和可靠性。
电气参数
在不同Id和Vgs条件下，STD4NK50Z-1的栅极电荷（Qg）最大值为12nC（@ 10V），以及在不同漏源电压（Vds）下，其输入电容（Ciss）最大值为310pF（@ 25V），这些参数表明该器件在开关频率较高的应用中具有良好的性能，能够快速响应控制信号，降低开关损耗。
应用场景
由于其诸多优异的电气和热性能，STD4NK50Z-1广泛应用于以下领域：
- 电源管理：高效开关电源、DC-DC转换器
- 马达驱动：用于电机控制和驱动应用，保证设备的运行稳定
- 高压应用：适用于需要极高电压和可靠性的设备，如工业设备和汽车电子
- 消费电子：适合用于各种家用电器和电子产品，提升能效和性能
总结
综上所述，STD4NK50Z-1是一款在高压和高效能应用领域表现突出的N通道MOSFET，其出色的电气性能、广泛的工作温度范围、低导通电阻和良好的热管理特性，使其成为各种电力电子设计的优选元件。虽然该产品已停产，但其在历史和市场中的贡献不可忽视，广大工程师仍可借鉴其设计理念来选择现代替代品或设计更高效的电路方案。