2SCR522EBTL
2SCR522EBTL参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 200mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 20V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 120 @ 1mA，2V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 频率 - 跃迁 | 400MHz |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-89，SOT-490 | 供应商器件封装 | EMT3F（SOT-416FL） |
2SCR522EBTL手册
2SCR522EBTL概述
2SCR522EBTL 产品概述
一、概述
2SCR522EBTL 是一款高性能 NPN 型晶体管，特别设计用于在电子电路中实现功率控制、开关和放大功能。该器件由知名品牌 ROHM (罗姆) 生产，采用环保的表面贴装型封装（EMT3F/SOT-416FL），适合于高密度自动化生产线。其卓越的电气性能和小巧的封装使其成为许多消费电子、通信设备和工业应用中的理想选择。
二、基本参数
- 晶体管类型：NPN
- 最大集电极电流 (Ic)：200mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce(max))：20V
- 饱和压降 (Vce(sat))：300mV 在10mA和100mA的情况下
- 集电极截止电流 (ICBO)：100nA（最大值）
- 直流电流增益 (hFE)：最小值 120，条件为 Ic = 1mA，Vce = 2V
- 最大功率耗散：150mW
- 频率响应：高达 400MHz 的跃迁频率
- 工作温度范围：最高可达 150°C（结温 TJ）
- 封装类型：SOT-416FL (EMT3F)
三、电气特性
此晶体管的电气特性使其能够在各种应用中保持高效率和稳定性。其中，200mA 的最大集电极电流与20V的集射极击穿电压提供了良好的操作裕度，适合于需要满足较高负载的场合。同时，其最大功率耗散能力为150mW，使其能够承载相对较大功率的应用需求。
饱和压降（Vce(sat)）为300mV，这意味着在工作于饱和状态时，晶体管的能量损耗较小，有利于提高电路的整体效率。因此，在开关应用中，该器件将大大减少功率损失，提升系统的能效。
四、增益特性
该产品在低电流条件下仍能维持较高的直流电流增益（hFE），在1mA的条件下仍能够达到120。这使得2SCR522EBTL在作为信号放大器的时候，能够有效提高输入信号的幅度，实现更高的信噪比和更佳的放大效果。
五、频率响应
其高达400MHz的跃迁频率使得2SCR522EBTL非常适合用于高频应用，如射频信号的调制和解调，也适用于高数据率的通信系统及开关电源中。这使得其在现代电子设备中，尤其是通信和计算领域具有广泛的应用前景。
六、应用领域
2SCR522EBTL非常适合用于以下应用领域：
- 消费电子：如手机、平板电脑、音响设备中的信号放大和开关控制。
- 通信设备：在信号处理和 RF 频率调制解调中作为增益元素。
- 工业控制：在电机驱动、传感器接口及自动化设备中使用。
- 开关电源：用于高效转换和电源调节过程中的控制和放大。
七、环境适应性
该晶体管的设计考虑了较高的工作温度，最高温度可达150°C，这使得它能够在高温环境中稳定工作，确保电路的可靠性和稳定性。这使得2SCR522EBTL卓越的热管理性能成为其核心竞争力之一。
八、总结
总体而言，2SCR522EBTL是一款适用于多种电子应用的高性能 NPN 晶体管，凭借其卓越的电气特性、高效率和小巧的封装，必将在未来的电子产品中发挥重要作用。无论是在新兴的消费电子产品、通信设备还是在工业自动化领域，2SCR522EBTL均展现出强大的适应性和竞争力，是设计工程师和电子设备制造商的理想选择。