MMBTA06WT1G
MMBTA06WT1G参数
| 制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 250mV @ 10mA，100mA | 电流 - 集电极截止（最大值） | 100nA |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 100mA，1V | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SC-70-3（SOT323） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 500mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 80V |
| 功率 - 最大值 | 150mW | 基本产品编号 | MMBTA06 |
MMBTA06WT1G手册
MMBTA06WT1G概述
MMBTA06WT1G 产品概述
概述
MMBTA06WT1G是一款由ON Semiconductor制造的高性能NPN型小信号三极管，广泛应用于各种电子电路中。该器件设计用于满足低功耗以及高频率的应用需求，其卓越的性能特征使其成为信号放大、电流开关以及线性放大等应用的理想选择。该三极管封装采用SC-70-3（SOT-323），其紧凑的体积设计使其适合面向空间有限的应用场合。
关键特性
性能规格: MMBTA06WT1G具有出色的电流处理能力，集电极电流（Ic）最大可达500mA，同时具备80V的集射极击穿电压（Vce）。在不同的工作条件下，Vce的饱和压降最大为250mV，适用于对低压降有严格要求的场合。
电流增益: 在100mA和1V的条件下，该器件提供最小值为100的直流电流增益（hFE），这意味着在相对较低的基极电流（Ib）下，能够获得较高的集电极电流（Ic），从而满足各种驱动要求。
频率特性: MMBTA06WT1G具有高达100MHz的跃迁频率，使其能够在高频应用中有效工作，如调制解调器、射频放大器及其他无线传输设备。
宽工作温度范围: MMBTA06WT1G的工作温度范围从-55°C至150°C，适应于各种极端环境，特别适合航空航天、汽车及工业应用等要求严格的领域。
封装与安装: 该产品采用SC-70小型封装，适合表面贴装技术（SMT）应用，极大地提升了自动化组装的效率和可靠性。SC-70封装的低占用空间特点使得该器件能够应用于现代电子产品的微型化设计。
应用领域
- 消费电子产品: MMBTA06WT1G适用于手机、智能家居设备以及可穿戴设备中的信号放大和开关应用。
- 工业控制: 在传感器和控制器中，MMBTA06WT1G可用于控制电流和信号处理。
- 汽车电子: 由于其宽工作温度范围，这款三极管适合于汽车电路中，例如在电机驱动、照明控制及仪表盘显示中的应用。
- 无线通信: 适合用于射频和微波电路，尤其是在调制解调器和其他无线设备中。
总结
MMBTA06WT1G凭借其优异的电气性能、宽广的工作温度范畴以及compact封装设计，成为了能满足现代高技术电子设备需求的理想选择。无论是在消费电子、工业控制还是汽车电子等多种应用场景中，该三极管都能够提供可靠的表现。作为一款高效率的NPN小信号三极管，MMBTA06WT1G将不断支持和促进各种电子产品的发展，为设计师和工程师在产品开发中提供强有力的支持。