晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 200mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 40V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 400mV @ 5mA,50mA |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 100 @ 10mA,1V | 功率 - 最大值 | 150mW |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-70,SOT-323 |
供应商器件封装 | SC-70-3(SOT323) |
MMBT3906WT1G 是 ON Semiconductor 生产的一款高性能PNP晶体管,主要用于各种电子电路的信号放大、开关应用及驱动电路等场景。该产品采用表面贴装型 (SMD) 封装,封装形式为 SC-70-3 (通常称为 SOT-323),具有小体积和良好的热特性,适合高密度电路板设计。
电流和电压特性:
饱和压降:
电流增益:
功耗与温度特性:
频率特性:
MMBT3906WT1G 可广泛应用于各类电子产品中,例如:
MMBT3906WT1G 采用 SC-70-3 (SOT-323) 封装,具备超小体积的优点,适合在空间有限的电路板上使用。同时,其表面贴装(SMD)类型使得安装流程更加简洁高效,适应现代电子器件的自动化生产趋势。
MMBT3906WT1G 是一款综合性能优异的PNP晶体管,凭借其良好的电气特性和宽广的工作温度范围,适合于各类电子应用。无论是在音频放大、开关驱动还是在高频信号处理的场合,它都能够提供可靠的性能。随着全球电子设备小型化及高集成度的趋势,该款器件必将在未来的电子设计中得到更广泛的应用。
选择 MMBT3906WT1G,您将获得一款兼具高性能与可靠性的优秀晶体管,助力您的电子项目实现卓越的电气性能与设计灵活性。