DDTA114WCA-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA114WCA-7-F

商品编码: BM0084327604
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT23
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 200mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-23
库存 :
2850(起订量1,增量1)
批次 :
22+
数量 :
X
0.592
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.592
--
200+
¥0.198
--
1500+
¥0.123
--
3000+
¥0.085
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA114WCA-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)10 kOhms
电阻器 - 发射极 (R2)4.7 kOhms不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)24 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 500µA,10mA电流 - 集电极截止(最大值)500nA
频率 - 跃迁250MHz功率 - 最大值200mW
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装SOT-23-3

DDTA114WCA-7-F手册

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DDTA114WCA-7-F概述

产品概述:DDTA114WCA-7-F

一、基本信息

DDTA114WCA-7-F 是一种高效能的数字晶体管,采用 SOT-23 封装,广泛使用于各种电子电路设计中,尤其适用于需要高电流增益和低功耗的场景。作为一种 PNP 类型的预偏置晶体管,其设计主要针对低功耗应用,允许最大集电极电流(Ic)为 100mA,集射极击穿电压(Vce)最大为 50V。

二、技术参数

  1. 晶体管类型:PNP - 预偏置信号放大
  2. 最大集电极电流 (Ic):100mA
  3. 集射击穿电压 (Vce):50V
  4. 基极电阻 (R1):10 kΩ
  5. 发射极电阻 (R2):4.7 kΩ
  6. DC 电流增益 (hFE):在 10mA、5V 时,最小值为 24
  7. Vce 饱和压降 (最大值):300mV @ 500µA, 10mA
  8. 集电极截止电流 (最大值):500nA
  9. 频率:250MHz
  10. 最大功率:200mW
  11. 安装类型:表面贴装型
  12. 封装:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  13. 品牌:DIODES(美台)

三、应用场景

DDTA114WCA-7-F 适用于多种电子电路,特别是在数字电路和集成电路的应用中。其可用于信号放大、开关控制和功率放大等多种场景,广泛应用于以下领域:

  1. 音频设备:在音频放大器中,该晶体管能够有效地处理信号,确保音质清晰且无失真。
  2. 消费电子:如电视机、收音机等设备中,用于音频信号的处理。
  3. 控制电路:在电源管理和控制电路中,作为开关元件使用。
  4. 传感器接口:可以在传感器与微控制器之间提供必要的信号放大。

四、性能优势

  1. 高电流增益:在较低基极电流下提供24的电流增益,使得其能够在小信号沃道处理时具有较低的输入电流。
  2. 低饱和压降:其饱和压降低至300mV,意味着在启用状态下的功耗相对较低,有助于提高整体系统的能效。
  3. 小型化封装:SOT-23 封装使其适合各种紧凑型设备的设计要求,节省电路板空间。
  4. 宽频率响应:其跃迁频率高达 250MHz,适合高频应用,提供稳定的性能。

五、设计考虑

在使用 DDTA114WCA-7-F 进行电路设计时,需考虑以下几点:

  1. 匹配基极与发射极电阻:选择合适的基极和发射极电阻 (R1 和 R2) 能够优化增益和频率特性。
  2. 过压保护:考虑在电路中增加过压保护措施,以保证晶体管在极端条件下的安全性和可靠性。
  3. 散热管理:尽管最大功率为200mW,但在高功率应用中,适当的散热设计是必要的,以延长器件寿命。

六、结论

DDTA114WCA-7-F 是一款性能卓越的 PNP 数字晶体管,凭借其高电流增益、低功耗和紧凑封装,成为现代电子设备中一种理想的选择。无论是在音频放大、控制电路,还是在信号处理与传感器应用中,该元件都表现出优异的性能,满足不同设计需求,是电子工程师在设计过程中值得信赖的元件之一。