电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 2.43V | 容差 | ±4% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 100 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 120µA @ 1V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-90,SOD-323F | 供应商器件封装 | SOD-323F |
DDZ2V4ASF-7 是一款由美台半导体(Diodes Incorporated)制造的高性能齐纳二极管,采用表面贴装型设计,封装规格为 SOD-323F。该器件专为电压稳压和过压保护应用而设计,能够为各种电子设备和电路提供可靠的电压控制。
齐纳电压 (Vz):本器件的标称齐纳电压为 2.43V,具备 ±4% 的容差,这意味着在正常工作情况下,输出电压能够保持在 2.33V 至 2.53V 的范围内。这一特性非常适合用于需要严格电压控制的应用场合。
最大功率:该齐纳二极管的最大功率为 500mW,这使其能够在较高功耗环境中提供稳定的性能。设计工程师在选择此器件时可以充分信赖其在极端条件下的表现。
阻抗 (Zzt):最大阻抗为 100Ω,表明在反向偏置工作状态下,器件在不同电流下的响应程度。较低的阻抗意味着更好的稳压性能与更快的响应时间,尤其是在动态负载情况下。
反向泄漏电流:在 1V 的偏置下,反向泄漏电流为 120µA,显示了器件在保护电路时的优异表现。低反向泄漏电流有助于降低功耗,优化系统的整体效率。
正向电压 (Vf):在 10mA 的测试条件下,正向电压为 0.9V,说明该元件在正向导通时的损耗相对较低,这对于整流和信号处理环节都是重要的指标。
工作温度范围:该器件的工作温度范围为 -65°C 到 +150°C,能够在广泛的环境和工作条件下稳定运作。这一点对于汽车、工业控制和航空航天等应用场景尤为重要,这些领域经常面临极端的温度变化。
DDZ2V4ASF-7 齐纳二极管广泛应用于以下领域:
DDZ2V4ASF-7 采用的 SOD-323F 封装形式,具有小型化、轻量化的特点,非常适合表面贴装技术(SMT),使其在高密度电路板设计中具备优良的适应性。该器件的设计考虑到了现代电子设备对空间和散热的要求,确保在高效率的同时降低了热量聚集的问题。
DDZ2V4ASF-7 是在现代电子产品中一款可靠的齐纳二极管,多样的应用及稳健的性能使其在电源管理、过压保护和信号调节等方面表现突出。凭借其极广的工作温度范围和优异的电气特性,该器件为设计工程师在保障电路稳定性和安全性方面提供了理想的解决方案。随着技术的不断进步,该器件将继续为各行业的可靠性和效率提高贡献力量。