电压 - 齐纳(标称值)(Vz) | 8.24V | 容差 | ±3% |
功率 - 最大值 | 500mW | 阻抗(最大值)(Zzt) | 30 Ohms |
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 7.5µA @ 7.63V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA |
工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SC-90,SOD-323F | 供应商器件封装 | SOD-323F |
DDZ8V2CSF-7 是一款专为电压稳压设计的高性能齐纳二极管,来自知名品牌 DIODES(美台),以其优良的电气特性和广泛的应用场景而受到电子工程师的广泛青睐。该器件的关键参数如下:标称电压为 8.24V,最大功率为 500mW,具备极低的反向泄漏电流(在 7.63V 时为 7.5µA),并且具有相对低的输出阻抗(最大值为 30Ω)。
电压特性:DDZ8V2CSF-7 的齐纳电压为 8.24V,容差为 ±3%。这一特性使其能够在电路中提供稳定的电压,实现电源管理和电压调节,避免过大的电压波动对后级电路元件造成的损害。
功率处理能力:该二极管具有 500mW 的最大功率处理能力,能够适应中等功率应用,有效保障电路在各种工作条件下的稳定性与可靠性。
泄漏电流特性:反向泄漏电流在 7.63V 时仅为 7.5µA,这一低泄漏特性使其在低功耗应用中尤显重要,优化了整个电路的能效,尤其是在待机状态下。
阻抗特性:最大阻抗为 30Ω,保证了在稳压过程中对电流变化的快速响应能力并减少了电压的跌落量,这对于一些需要高精度电压稳定的应用场合尤其重要。
正向电压:在 10mA 时的正向电压为 900mV,展现出该元器件在工作中的良好性能并能有效降低能量损耗,确保能量的高效利用。
DDZ8V2CSF-7 的工作温度范围从 -65°C 到 150°C,极大地扩展了其在极端环境条件下的适用性,使其能够在军事、航空航天及医疗设备等严苛的工作条件下正常运作。
该器件采用表面贴装型(SMD)封装,封装型号为 SOD-323F,这种小型化封装设计不仅使得产品在空间有限的应用中更具优势,同时提高了自动化焊接的可行性,增强了机械强度和热管理能力。SOD-323F 封装适合于大规模生产的PCB(印刷电路板),降低了装配成本,提高生产效率。
DDZ8V2CSF-7 在多个领域中均有广泛应用,包括但不限于:
DDZ8V2CSF-7 均衡了电气性能与应用灵活性,成为现代电子设计中一款不可或缺的稳压二极管。其优良的电流和电压特性,不仅提升了电路设计的鲁棒性,同时也使得设备在各种应用环境中能够表现出色,满足不同客户的需求。随着电子技术的不断进步,此产品将在未来的应用中发挥更加重要的作用。