DDZ9V1ASF-7 产品实物图片
DDZ9V1ASF-7 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDZ9V1ASF-7

商品编码: BM0084327559
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOD323F
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
稳压二极管 独立式 8.51V 500mW 7.5uA@7.88V SOD-323F
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
0.195
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.195
--
150+
¥0.139
--
1500+
¥0.118
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDZ9V1ASF-7参数

电压 - 齐纳(标称值)(Vz)8.51V容差±3%
功率 - 最大值500mW阻抗(最大值)(Zzt)30 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏7.5µA @ 7.88V不同 If 时电压 - 正向 (Vf)900mV @ 10mA
工作温度-65°C ~ 150°C安装类型表面贴装型
封装/外壳SC-90,SOD-323F供应商器件封装SOD-323F

DDZ9V1ASF-7手册

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DDZ9V1ASF-7概述

产品概述:DDZ9V1ASF-7 稳压二极管

一、基本信息

DDZ9V1ASF-7 是由著名半导体制造商 DIODES (美台) 提供的一款高性能稳压二极管,主要用于电压调节和过压保护。该型号的标称齐纳电压为 8.51V,适合多种电子设备和电路中作为电压稳定组件应用。

二、核心参数

  1. 齐纳电压 (Vz): 8.51V

    • 此参数定义了稳压二极管在其反向击穿区域工作时的电压特性,确保在8.51V的电压下能有效稳压,这在设计电源或保护电路中尤为重要。
  2. 容差: ±3%

    • 该参数表示器件的公差范围,为设计师提供更高的设计灵活性和可靠性。
  3. 最大功率: 500mW

    • 该稳压二极管在正常工作状态下能够承受的最大功率为500mW,适合中低功率电路中使用。
  4. 最大阻抗 (Zzt): 30Ω

    • 反向击穿区的动态阻抗表征了其在操作过程中电压变化对电流的影响,这一低阻抗值有助于保持稳定的输出电压。
  5. 反向泄漏电流: 7.5µA @ 7.88V

    • 反向泄漏电流是稳压二极管在反向偏置状态下的额外电流,对于电路的功耗和稳定性影响显著,低泄漏电流有助于提高整体电路的效率。
  6. 正向电压 (Vf): 900mV @ 10mA

    • 当通过 diode 工作时,2恒定的正向电流(如10mA)下所需的电压,反映了其在正向导通时的特性。
  7. 工作温度范围: -65°C ~ 150°C

    • 此宽广的工作温度范围使得该器件能够在极端环境下稳定工作,适合汽车、工业及航空航天等领域。
  8. 封装类型: SOD-323F

    • 表面贴装设计(SMD)使得该二极管在现代电路板中便于生产、节省空间和提升印刷电路板的集成度。

三、应用领域

DDZ9V1ASF-7 稳压二极管广泛应用于各种电路设计中,特别是在下面的一些场景中表现出色:

  1. 电源管理: 作为电源电压的调节器,保持输出电压的稳定。

  2. 过压保护: 防止电路遭受瞬时电压冲击,通过迅速导通来保护后续电路元件免受损坏。

  3. 信号整形: 适用于信号电路中的电压限制,保障信号的稳定传输。

  4. 通信设备: 在通信系统中,稳压二极管能确保通信信号的稳定性和清晰度。

  5. 消费电子: 在手机、平板电脑等便携设备中,重要的电源保护和调节功能。

四、总结

DDZ9V1ASF-7 稳压二极管凭借其优越的电气特性和灵活的应用能力,成为电气工程师和设计师的理想选择。其出色的性能、较小的封装以及广泛的应用场景,使其在现代电子设计中占据重要地位。选择 DDZ9V1ASF-7,不仅可以简化电路设计,还能提升系统的可靠性和稳定性。