晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 310mW | 频率 - 跃迁 | 200MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
AC857CQ-7是一款高性能的PNP型双极晶体管(BJT),专为高效信号放大与开关应用设计。该产品由知名电子元器件制造商DIODES(美台)生产,具备优越的电气特性和广泛的适用领域。AC857CQ-7以其出色的电流增益和高频特性,成为现代电子电路中理想的组件,特别适用于通信、数据处理和精密控制等场景。
AC857CQ-7广泛应用于多个领域,包括但不限于:
AC857CQ-7凭借其高输入增益、低饱和压降及高频特性,展示了其在竞争者产品中的明显优势。这些特性不仅提高了电路的整体性能,同时也增强了设计的灵活性,使得工程师在设计方案时能够更加自在地应对不同的技术挑战。
总之,AC857CQ-7是一款兼具高性能与高可靠性的PNP三极管,其广泛的应用范围和独特的物理特性,使其成为现代电子设计中不可或缺的组件。无论是在倡导节能的环境下,还是在追求高频响应的应用中,AC857CQ-7都能为设计师提供一流的性能和极佳的适应性。选择AC857CQ-7,将为电子产品的开发和性能提升提供重要的支持。