DDTC144TUA-7-F
DDTC144TUA-7-F参数
| 制造商 | Diodes Incorporated | 包装 | 卷带（TR） |
| 零件状态 | 有源 | 晶体管类型 | NPN - 预偏压 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 1mA，5V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 300mV @ 250µA，2.5mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 500nA（ICBO） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-70，SOT-323 | 供应商器件封装 | SOT-323 |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 100mA | 电压 - 集射极击穿（最大值） | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1) | 47 kOhms | 频率 - 跃迁 | 250MHz |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 基本产品编号 | DDTC144 |
DDTC144TUA-7-F手册
DDTC144TUA-7-F概述
产品概述：DDTC144TUA-7-F NPN晶体管
引言 DDTC144TUA-7-F是由Diodes Incorporated制造的一款高性能NPN预偏压晶体管，采用SOT-323封装。其设计旨在满足各种电子电路的需求，具有广泛的应用前景，特别是在开关、电流放大和小信号处理等领域。
基础参数 DDTC144TUA-7-F的主要参数包括一个最大集电极电流（Ic）为100mA，集电极至发射极电压（Vce）最高可达50V，确保其能够在多种工作环境下保持高效的性能。此外，其DC电流增益（hFE）在1mA和5V时达到最小100，显示出其优良的增益特性，适合用作放大器的前级或开关元件。
电气特性 该晶体管在不同的基极（Ib）和集电极电流（Ic）条件下，具有令人满意的饱和压降表现，最大值为300mV。这一特性使其在信号传输过程中有效降低功耗，有助于提高整体电路的能效。而在集电极截止电流方面（ICBO），DDTC144TUA-7-F显示出极低的截止电流特性，最大值为500nA，这对高频应用至关重要，能够有效减少噪声并提高稳定性。
频率特性 在频率响应方面，这款晶体管的跃迁频率高达250MHz，意味着它在高频信号处理中表现出色，特别适合需要快速开关的应用场合，如无线通信和高频数字电路。这种高频率特性为开发高效率、高频率的电路设计提供了良好的基础。
功率和热管理 DDTC144TUA-7-F的最大功耗为200mW，这为其在各种负载条件下的稳定工作提供了保障。有效的热管理是保证晶体管正常工作的关键，DDTC144的设计考虑到了这一点，使其在高功率应用中仍能保持合适的温度，从而防止过热和潜在的电路损坏。
应用领域 DDTC144TUA-7-F的优异性能使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源
- 线性电流放大器
- 高频无源和有源信号处理
- 小信号应用，如无线电接收器和发射器
- 继电器驱动和电机控制电路
封装与安装 该晶体管采用卷带（TR）包装形式，适合自动化表面贴装(SMD)工艺，能够显著提高生产效率。此外，其小巧的SC-70和SOT-323封装使得DDTC144TUA-7-F非常适合在空间有限的小型电子产品中使用，不仅节省了板上空间，也给电路设计带来了更多灵活性。
总结 综上所述，DDTC144TUA-7-F凭借其出色的电气特性、高增益、高频率响应及适应性强的封装，成为了小信号和开关应用中的理想选择。无论是在高效电源管理、电信设备还是消费电子产品中，DDTC144的性能和可靠性都为设计师提供了强有力的支撑。选择DDTC144TUA-7-F，您将能够为您的项目创造更高效、更可靠的电路解决方案。