DDTA115TE-7-F 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

DDTA115TE-7-F

商品编码: BM0084327506
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT523
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
数字晶体管 150mW 50V 100mA 1个PNP-预偏置 SOT-523
库存 :
3000(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.325
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.325
--
200+
¥0.21
--
1500+
¥0.183
--
3000+
¥0.162
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

DDTA115TE-7-F参数

晶体管类型PNP - 预偏压电流 - 集电极 (Ic)(最大值)100mA
电压 - 集射极击穿(最大值)50V电阻器 - 基极 (R1)100 kOhms
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)100 @ 1mA,5V不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 100µA,1mA
电流 - 集电极截止(最大值)500nA(ICBO)频率 - 跃迁250MHz
功率 - 最大值150mW安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-523供应商器件封装SOT-523

DDTA115TE-7-F手册

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DDTA115TE-7-F概述

产品概述:DDTA115TE-7-F

基本信息

DDTA115TE-7-F 是一款高性能的数字晶体管,采用 SOT-523 封装,专为多种应用设计,尤其适用于低功耗和紧凑型电子设备。该器件为 PNP 类型,并采用预偏压设计,其主要参数显示出其在高频和低功耗条件下的优越性能。

主要参数

  • 晶体管类型:PNP - 预偏压
  • 最大集电极电流 (Ic):100mA,适合驱动较小信号和负载。
  • 集射极击穿电压 (Vce):50V,使其能够在较高电压下稳定工作,适用于各种电源和驱动电路。
  • 基极电阻 (R1):100 kΩ,适合于多种应用场合,能够有效控制基极电流。
  • DC电流增益 (hFE):在1mA和5V的条件下,最小值为100,表示即使在低电流情况下,DDTA115TE-7-F也能有效放大信号。
  • 饱和压降 (Vce):在100µA到1mA的条件下,最大值为300mV,表明该器件在开关状态下的能耗较低,有助于提升整体电路效率。
  • 集电极截止电流 (ICBO):最大值为500nA,表示在关闭状态下漏电流非常小,有助于提高设备的节能性。
  • 频率 - 跃迁:高达250MHz,适合于高频信号放大和开关应用。
  • 最大功率:150mW,有效满足大多数小功率应用需求。
  • 封装类型:表面贴装型 (SMD),有利于自动化生产和小型化设计。

应用场景

DDTA115TE-7-F 的设计使其适用于多种电子应用,尤其是在消费电子、通信设备、工业控制及汽车电子等领域表现出色:

  1. 消费电子:如信号放大、开关控制等,能在电源管理和音频处理系统中提供稳定的性能。
  2. 通信设备:适合用作信号放大器和RF开关,能够处理高频信号,实现有效的信号传输。
  3. 工业控制:可以应用于传感器信号处理、驱动电路和控制系统,增强系统的可靠性和效率。
  4. 汽车电子:在低功耗控制电路中,DDTA115TE-7-F 的小尺寸和低饱和压降使其成为汽车设备中理想的选择。

竞争优势

DDTA115TE-7-F 以其良好的电气性能、减小的功耗和高集成度,具备了许多竞争优势:

  • 高效的信号增益:无论是低输入信号的放大,还是需要快速开关的应用,这款晶体管都能够提供良好的性能。
  • 小型化封装:SOT-523 封装使其在空间有限的设计中依然表现出色,便于在现代电子设备中实现小型化。
  • 低能耗设计:其低饱和压降和小的集电极截止电流使得DDTA115TE-7-F成为绿色电子产品的理想选择,有助于延长设备续航时间和减少对电源的压力。

结论

综上所述,DDTA115TE-7-F 是一款出色的 PNP 数字晶体管,其出色的电气性能和多种应用场景,使其成为现代电子设备设计中不可或缺的一员。无论是在消费电子、通信设备,还是在工业和汽车电子领域,其高频响应、低功耗特性和稳定性,都将为电子工程师提供良好的解决方案。