BZT585B30T-7
BZT585B30T-7参数
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 30V | 容差 | ±2% |
| 功率 - 最大值 | 350mW | 阻抗（最大值）(Zzt) | 80 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 21V | 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 1.1V @ 100mA |
| 工作温度 | -65°C ~ 150°C | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 | 供应商器件封装 | SOD-523 |
BZT585B30T-7手册
BZT585B30T-7概述
BZT585B30T-7 产品概述
BZT585B30T-7 是一款高性能的稳压二极管，由 DIODES（美台）公司制造，采用 SOD-523 封装，凭借其优越的电气特性和宽广的工作温度范围，广泛应用于各种电子电路和系统中，以实现稳压和电压保护功能。
关键参数和特性
电压特性：BZT585B30T-7 的标称齐纳电压（Vz）为 30V，允许的变化范围在 29.4V 到 30.6V 之间，具有 ±2% 的容差。这使得该器件在电压稳压和电源管理应用中表现出色，能够有效保护后级电路免受电压波动的影响。
功率处理能力：该稳压二极管的最大功率为 350mW，确保了在典型应用场景中，BZT585B30T-7 能够安全稳定地工作。其功率处理能力使得该器件适用于多种电源和电子设备，包括移动设备、消费电子及工业设备等。
阻抗特性：BZT585B30T-7 的最大动态阻抗（Zzt）为 80 Ohms，表现出低阻抗特性，能够有效抵抗电压变化，确保输出电压的稳定性。
反向电流特性：在 Vr = 21V 的条件下，该器件的反向泄漏电流为 50nA，极低的泄漏电流使其在静态和动态工作条件下都表现出良好的电气性能，适合需要降低功耗的电路。
正向特性： BZT585B30T-7 在 If = 100mA 时的正向电压 Vf 为 1.1V，表明其在正向工作时的电压降较低，为电路提供了更高的效率。
工作温度范围：该器件的工作温度范围为 -65°C 至 150°C，广泛适用于极端环境条件下，保证其在高温和低温状态下均能有效工作。
封装形式：采用 SOD-523 封装，BZT585B30T-7 的表面贴装设计使得它十分适合现代电子设备的紧凑布局，能够有效提高电路板的空间利用率和整体性能。
应用领域
BZT585B30T-7 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理：用于稳压电源电路，确保电流输出稳定且满足负载需求。
- 过压保护：在电子设备中用作过压保护元器件，防止由于电压过高而导致的器件损坏。
- 信号调节：可用于保护敏感的电子设备和信号线路，确保不会因电压波动而造成信号失真或丢失。
- 消费电子：如手机、平板电脑、智能家居设备等，利用其低功耗和小型化特点，提升设备的性能和用户体验。
总结
BZT585B30T-7 是一款具有出色性能和广泛应用的稳压二极管，凭借其优异的电压稳定性和低功耗特性，可以有效满足现代电子设备对电压稳压和保护的严格要求。其小巧的 SOD-523 封装让它能够在各种电子设计中应用自如，是工程师在设计电源管理和保护电路时的理想选择。无论是在消费电子、工业设备还是通信系统中，BZT585B30T-7 的可靠性和性能均能为产品的长久稳定运行提供保障。