晶体管类型 | PNP - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 22 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 47 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 68 @ 10mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 500µA,10mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTA124XE-7-F 是一款由美台半导体(DIODES)生产的 PNP 型双极性晶体管(BJT),采用 SOT-523 封装。随着电子技术的快速发展,小型化、低功耗的要求越来越高,这使得像 DDTA124XE-7-F 这样的表面贴装型晶体管在现代电子电路设计中发挥着重要作用。本产品主要应用于信号放大、开关控制等领域,特别是在需要小尺寸和高效率的应用场景中。
晶体管类型: DDTA124XE-7-F 是一款 PNP 型预偏压晶体管,适合于多种低电流及低电压应用。
电气性能: 该晶体管具有 100mA 的集电极电流(Ic)最大值,适合于中小功率的应用。同时,它的集射极击穿电压(Vce)最大值为 50V,能够满足大多数低压应用的需求。
增益特性: 在 10mA 的电流下,该晶体管的直流电流增益(hFE)最小值为 68,这表明其在常见工作条件下具备良好的电流放大能力,适合于高增益放大电路。
饱和压降: 在进行开关操作时,该晶体管的饱和压降最大值为 300mV(在 500µA 的基极电流和 10mA 集电极电流条件下),表明其在开关状态下具有较低的能耗,这对于低功耗设计尤其重要。
截止电流: 集电极截止电流的最大值为 500nA,显示出其在关断状态下的良好隔离特性,降低了电路的静态功耗,适合在需要长时间待机的应用中使用。
高频性能: 该晶体管的跃迁频率高达 250MHz,使其能够在高速信号处理应用中可靠工作,适合用于高频放大和开关电路。
功率处理: DDTA124XE-7-F 的最大功率为 150mW,能够在较低功率条件下稳定工作,适合便携式电子设备等要求。
封装与安装: 采用 SOT-523 表面贴装封装,使得该器件在空间受限的电路中能够占用更小的面积,简化焊接与后续组装过程。
DDTA124XE-7-F 可广泛应用于各类电子产品和电路中,包括但不限于:
便携式电子设备: 如智能手机、手表及其他可穿戴设备,为其提供高效开关和放大解决方案。
信号处理电路: 在音频、视频设备以及传感器线路中,用于信号放大和处理。
小型电动机驱动: 在电动机控制电路及相应的控制应用中,可以有效控制较小电流的电动机运行。
电源管理电路: 作为开关控制元件,转变电路状态,有效管理待机和工作状态的电源消耗。
作为一款性能优异的 PNP 晶体管,DDTA124XE-7-F 提供了高增益、优良的频率响应和较低的静态功耗,是现代电子设计中不可或缺的重要元器件之一。它的应用潜力遍布多个领域,不仅便利了电路设计的灵活性,也满足了日益增长的低功耗以及小型化的市场需求。无论是在消费电子、工业设备还是高性能计算领域,DDTA124XE-7-F 都展示了其卓越的技术优势和应用前景。