晶体管类型 | NPN - 预偏压 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 50V | 电阻器 - 基极 (R1) | 100 kOhms |
电阻器 - 发射极 (R2) | 100 kOhms | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 82 @ 5mA,5V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 300mV @ 250µA,5mA | 电流 - 集电极截止(最大值) | 500nA |
频率 - 跃迁 | 250MHz | 功率 - 最大值 | 150mW |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SOT-523 |
供应商器件封装 | SOT-523 |
DDTC115EE-7-F 是一款高性能数字晶体管,采用 NPN 预偏压配置,适用于各种数字和线性传输应用。该器件由美台(DIODES)公司制造,具有极高的可靠性和稳定性,广泛应用于数字电路、开关电路、放大电路等多个领域。该器件采用 SOT-523 封装,适合表面贴装(SMT)技术,有助于缩减电路面积并提高生产效率。
1. 晶体管类型和配置
2. 电流和电压规格
3. 基极和发射极电阻
4. 电流增益和饱和压降
5. 截止电流
6. 频率和功率
DDTC115EE-7-F 适用于多种电子应用,尤其在以下场合表现出色:
总的来说,DDTC115EE-7-F 是一款结合高性能、小型化以及优良的电气特性于一身的数字晶体管。无论是在需要快速开关的应用中,还是在需要良好信号放大的场景中,它都表现出了优异的性能。其小巧的 SOT-523 封装和宽范围的工作电气特性,使其成为设计师和工程师在数字电路和开关电路中不容错过的理想选择。以其高效的能力及广泛的应用前景,DDTC115EE-7-F 有望在未来的电子产品中扮演重要角色。