注：图像仅供参考，请参阅产品规格
DMN31D6UT-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT523
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 320mW 30V 350mA 1个N沟道 SOT-523
库存 :
2748(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
0.373按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.373
--
200+
￥0.241
--
1500+
￥0.209
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN31D6UT-7参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 350mA（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | .35nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 13.6pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 320mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-523 |
| 封装/外壳 | SOT-523 |
DMN31D6UT-7手册
无数据
DMN31D6UT-7概述
产品概述：DMN31D6UT-7
DMN31D6UT-7 是一款优秀的 N 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），专为高效能和小型化电子应用而设计。由 DIODES（美台）公司制造，该产品在其独特的 SOT-523 封装中集成了强大的性能特点，旨在满足现代电子设备对高效能和高可靠性的需求。
基础参数
- FET类型： DMN31D6UT-7 是一款 N 通道 MOSFET，具有良好的开关特性，适合用于开关电源、电机驱动和信号放大等场合。
- 漏源电压（Vdss）： 本器件能够承受最高达 30V 的漏源电压，这使其在多个电压范围的应用中具有广泛的适用性。
- 电流处理： 在 25°C 环境温度下，DMN31D6UT-7 具有连续可承受 350mA 的漏极电流。这一特性使其适合用于需要较高电流的电路中。
- 驱动电压： 本产品支持 2.5V 和 4.5V 的驱动电压，能够在不同的工作场景下保持优良的性能。
- 导通电阻： 在 4.5V 驱动电压下，DMN31D6UT-7 展示了较低的导通电阻，最大值为 1.5 欧姆（在 100mA 的情况下），这对于降低功耗和提高电路效率至关重要。
- 栅极电压阈值（Vgs(th)）： 本器件的最大栅极阈值电压为 1.4V（在 250µA 下），使其在较低电压驱动下能够有效开启。
- 栅极电荷 (Qg)： DMN31D6UT-7 在 4.5V 时，栅极电荷最大为 0.35nC，表明它具有较低的驱动功率损耗，这对于高速开关应用尤为重要。
- 输入电容 (Ciss)： 在 15V 下，该器件的最大输入电容值为 13.6pF，低输入电容有助于减小开关延迟，提高总体开关频率。
- 功率耗散： 最大功率耗散为 320mW，确保器件能够在较高功率下安全稳定运行。
- 工作温度范围： 该 MOSFET 拥有广泛的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），适用于极端环境下的应用，满足高可靠性设计需求。
封装与安装
DMN31D6UT-7 采用 SOT-523 封装，这种紧凑的表面贴装型设计非常适合于空间受限的电路板。SOT-523 封装的优点在于其出色的热管理特性和电气性能，能够有效降低元器件的工作温度，进一步提高系统的整体效率。
应用场合
DMN31D6UT-7 可以广泛应用于多种电子设备，例如电源管理系统、LED 驱动、自动化控制、家电、移动设备等。这款 MOSFET 由于其出色的电流处理能力和低功耗特性，特别适合于高效能电源转换器和驱动电路，在需要高开关频率和低热量耗散的场合中表现优异。
结论
综上所述，DMN31D6UT-7 是一款性能卓越的 N 通道 MOSFET，结合了先进的电气特性和高可靠性的设计，适用于各种现代电子设备。无论是在高效开关及功率管理中，还是在要求严格的环境下，该产品均能提供可靠的支持。选择 DMN31D6UT-7，将为您的项目带来优越的性能和稳定性。