晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,30mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 10nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 50 @ 25mA,20V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 60MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
BF720T1G 是一个高性能 NPN 型晶体管,属于辉光放电半导体器件的分类,广泛应用于电源开关、放大器等多种电子电路场合。该元件由安森美(ON Semiconductor)制造,具备卓越的电气特性与可靠性,适用于要求高线性度和低饱和压降的应用。BF720T1G 的极高工作电压能力(最大 300V)和相对较大的集电极电流(最大 100mA)使其在工业控制和消费类电子产品中具有广泛的适用性。
电流和电压规格:
饱和压降:
直流电流增益 (hFE):
功率和频率:
温度特性:
封装和安装方式:
BF720T1G 的设计使其适用于多种应用,包括但不限于:
BF720T1G 是一款表现优越的 NPN 晶体管,凭借其高电压、高电流的承载能力和优越的热稳定性,非常适合现代电子设备中多样化的应用需求。其紧凑的 SOT-223 包装不仅节省了电路板的空间,还提高了可靠性,减少了电磁干扰的可能性。无论是在消费电子、工业自动化还是汽车电子等多个行业,BF720T1G 都展示了其重要的价值,为电子工程师提供了可靠的解决方案。