BZX84C75LT1G
BZX84C75LT1G参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TJ） |
| 阻抗（最大值）(Zzt) | 255 Ohms | 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) | 75V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 900mV @ 10mA | 功率 - 最大值 | 225mW |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 50nA @ 52.5V | 容差 | ±6% |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
BZX84C75LT1G手册
BZX84C75LT1G概述
BZX84C75LT1G 产品概述
概述
BZX84C75LT1G 是一款由安森美（ON Semiconductor）生产的表面贴装型稳压二极管，采用 SOT-23-3 封装。这款稳压二极管的标称齐纳电压为 75V，具有优异的温度特性和低反向泄漏电流，广泛应用于电源管理、电压稳定以及过压保护等电路中。
主要特性
电压范围: BZX84C75LT1G 的标称齐纳电压为 75V，适合需要高电压稳定性的应用。在实际使用中，该器件可以在 70V 到 79V 的范围内有效工作。
低反向泄漏电流: 在额定的反向电压 52.5V 条件下，此稳压二极管的反向泄漏电流仅为 50nA，表明其具有非常出色的泄漏特性。这意味着在稳压应用中，该器件将保持较低的功耗并能提高系统的效率。
宽工作温度范围: 该产品的工作温度范围为 -65°C 到 150°C，非常适合严酷环境下的应用。这一特性使其能够在航空航天、汽车电子及工业控制等领域得到广泛应用。
良好的阻抗特性: BZX84C75LT1G 的最大动态电阻（Zzt）为 255Ω，这使其在稳定输出电压的同时，可以承受一定的电流波动，这在电源设计中至关重要。
功率处理能力: 该器件的最大功率额定值为 225mW，能够有效支撑高功率应用而不发生过热或失效。
正向电压特性: 在 10mA 的正向电流下，BZX84C75LT1G 的正向电压为 900mV，适合需要低压供电的电路。
应用场景
BZX84C75LT1G 的特性使其适用于各种电子设备和系统，包括但不限于：
- 电源管理: 用于稳压电源电路中以提供稳定的参考电压。
- 电压保护: 在瞬态电压抑制和过压保护电路中用作限压元件。
- 信号调理: 在模拟信号处理和数据采集系统中，用于稳定信号电压。
- 汽车和工业应用: 由于其宽工作温度和高可靠性，广泛应用于汽车电子及工业设备中。
封装与便捷性
BZX84C75LT1G 采用 SOT-23-3 封装，这种紧凑型封装能够节省 PCB 板空间，适合现代电子设备对小型化和集成度的要求。表面贴装型设计使其能够轻松集成到自动化生产流程中，提高生产效率。
结论
BZX84C75LT1G 是一种功能强大且性能可靠的稳压二极管，凭借其优异的参数和适应性，能够满足各类电子应用的需求。无论是在设计初期的电路原理布局，还是在最终产品的质量把控中，选择 BZX84C75LT1G 都能为您提供稳定、可靠的电压支持，确保设备的正常运行和性能稳定。