晶体管类型 | PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 300V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 2V @ 5mA,50mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 50µA | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 30 @ 50mA,10V |
功率 - 最大值 | 1.5W | 频率 - 跃迁 | 15MHz |
工作温度 | -65°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA | 供应商器件封装 | SOT-223 |
一、基本信息
BSP16T1G是一款高性能的PNP型晶体管,属于双极型晶体管(BJT)类别,主要用于放大和开关应用。该器件的封装形式为SOT-223,具有紧凑的尺寸,适合表面贴装技术,满足现代电子设备对空间和性能的高度要求。
二、关键参数
电流与电压特性
饱和压降特性
增益特性
功率与频率
工作温度
三、应用领域
BSP16T1G因其优秀的电气特性和耐环境能力,广泛应用于多种领域,包括但不限于:
四、总结
BSP16T1G是一款综合性能优越的PNP型晶体管,提供了高达100mA的集电极电流和300V的集射极击穿电压,在表面贴装技术中展现出优良的可靠性与稳定性。凭借其卓越的饱和压降和DC电流增益特性,使其在音频放大、电源管理、信号放大等应用中表现出色。同时,宽广的工作温度范围赋予了其更大的应用灵活性,满足各种高要求的工业和消费类电子产品。凭借安森美(ON Semiconductor)的品质保证,BSP16T1G适合于高端用户和专业设计师的需求。
在现代电子设计中,选择合适的功率晶体管至关重要,而BSP16T1G凭借其响应迅速、特性稳定以及应用广泛的特点,成为了设计工程师在实施项目时的重要选择。总的来说,BSP16T1G是一款理想且可靠的组件,适应未来电子产品的发展需求。