BCP55TA 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

BCP55TA

商品编码: BM0084327301
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT223
包装 : 
编带
重量 : 
0.015g
描述 : 
三极管(BJT) 2W 60V 1A NPN SOT-223-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.09
按整 :
圆盘(1圆盘有1000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.09
--
50+
¥0.545
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述

BCP55TA参数

制造商Diodes Incorporated包装卷带(TR)
零件状态有源晶体管类型NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)500mV @ 50mA,500mA电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)40 @ 150mA,2V频率 - 跃迁150MHz
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA供应商器件封装SOT-223
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)60V
功率 - 最大值2W基本产品编号BCP55

BCP55TA手册

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无数据

BCP55TA概述

产品概述:BCP55TA NPN晶体管

引言

BCP55TA 是由 Diodes Incorporated 生产的一款高性能 NPN 三极管,采用 SOT-223 封装。该产品适用于各种电子应用,特别是需要高频率和高电流的场合。BCP55TA 的高电流增益和快速的跃迁频率使其在现代电子设计中广受欢迎。本文将重点介绍 BCP55TA 的关键参数、应用领域和设计注意事项。

关键参数

  1. 制造商: Diodes Incorporated
  2. 型号: BCP55TA
  3. 封装: SOT-223,表面贴装型
  4. 晶体管类型: NPN
  5. 最大电流 - 集电极 (Ic): 1A
  6. 最大电压 - 集射极击穿 (Vceo): 60V
  7. 最大功率耗散: 2W
  8. 电流 - 集电极截止: 100nA (ICBO)
  9. 不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和压降: 500mV @ 50mA 和 500mA
  10. 不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE): 最小值 40 @ 150mA,2V
  11. 频率 - 跃迁: 150MHz
  12. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C(TJ)

特性分析

BCP55TA 的设计使其成为高效电流放大器的理想选择。其 1A 的集电极电流能力和 60V 的击穿电压使其能够在高电压和高电流的工作环境中稳定运行。再加上 2W 的功率耗散能力,使得该晶体管能够处理大功率信号而不易过热,进一步增强了其可靠性。

在性能方面,BCP55TA 在 150MHz 的跃迁频率下,能够实现快速开关和高频操作,非常适合 RF 和混合信号的设计。这种高频响应能力使得 BCP55TA 在收音机、电视和其他需要频率调制的应用中表现突出。

应用场景

  1. 音频放大器: BCP55TA 可用于音频放大器设计中,其高增益特性使其有效放大微弱的音频信号。
  2. 开关电源: 由于其能够承受较大的集电极电流,该晶体管适用于开关电源,不仅能提高电源的效率,同时减少信号失真。
  3. 射频放大器: 凭借其 150MHz 的工作频率,BCP55TA 可用于 RF 放大器,满足无线通信需求。
  4. 信号处理电路: 在信号处理和转换电路中,BCP55TA 的低集电极截止电流使其适合于需要高信噪比的应用。

设计注意事项

在使用 BCP55TA 时,设计师需要注意一些关键参数和设计要素。首先,应确保晶体管在工作时不会超过其最大集电极电流和电压参数,以防止损坏。其次,为了确保稳定性和线性工作点,建议在设计中合理配置偏置电路。

此外,由于 BCP55TA 的工作温度范围广(-55°C ~ 150°C),适用于恶劣环境下的应用,但在极端温度条件下工作时,仍需充分考虑热管理设计,以避免过热影响其性能。

结论

BCP55TA NPN 晶体管凭借其高电流、高频率和优秀的线性度,成为现代电子设备中不可或缺的组成部分。无论是音频放大、射频信号处理,还是开关电源,BCP55TA 都能提供稳定、可靠的解决方案。随着电子产品向小型化、高效能方向发展,BCP55TA 无疑是值得设计师信赖的优质选择。