制造商 | ON Semiconductor | 包装 | 卷带(TR) |
零件状态 | 有源 | 类型 | 齐纳 |
电压 - 反向断态(典型值) | 12.8V | 电压 - 击穿(最小值) | 14.3V |
不同 Ipp 时电压 - 箝位(最大值) | 21.2V | 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 1.9A |
功率 - 峰值脉冲 | 40W | 电源线路保护 | 无 |
应用 | 通用 | 工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 单向通道 | 2 |
基本产品编号 | MMBZ15 |
MMBZ15VDLT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高性能齐纳二极管,专为各种电子设备的电压保护应用而设计。该元件具备优越的可靠性和温度适应能力,适合广泛的行业用途,包括消费电子、通信设备、工业控制和汽车电子等领域。
稳定的电压特性: MMBZ15VDLT1G具有典型的反向断态电压(VR)为12.8V,最小击穿电压为14.3V,通常能够在电源电压波动和瞬态情况下提供良好的电压稳压能力。对于敏感的电路,这种特性确保了在各种操作条件下的电子元件的安全运行。
强大的过压保护能力: 该二极管的最大电压箝位值为21.2V,能够有效地支持高达1.9A的峰值脉冲电流(10/1000µs),并具备高达40W的峰值脉冲功率,这使它非常适合需要保护电路免受电压瞬变或冲击的应用场景。
高温工作范围: MMBZ15VDLT1G的工作温度范围为-55°C到150°C,这一显著的温度适应能力使得该元件可以在严苛的环境条件下稳定工作,确保证在高温环境中的耐用性和可靠性。
紧凑的封装: 采用SOT-23-3封装形式,MMBZ15VDLT1G在占用空间和安装便捷性上具备优势,特别适合现代电子设备的高密度组装需求。此外,卷带(TR)包装形式也便于自动化生产线的自动贴装。
通用适用性: 作为一款通用型齐纳二极管,MMBZ15VDLT1G可广泛应用于电源线路保护、电压稳压以及信号线路保护等多个领域,极大地提高了元器件的应用灵活性。
MMBZ15VDLT1G的设计使其成为诸多应用的理想选择:
MMBZ15VDLT1G是一款高效可靠的齐纳二极管,凭借其卓越的电压稳压能力、强大的过压保护特性及广泛的适用性,不仅满足当前电子设备对保护元件的严格要求,而且在未来的电气工程和电子产品设计中,仍将发挥重要作用。作为设计工程师,选择MMBZ15VDLT1G将为您提供极好的性能保证与保护解决方案。