SI3420A-TP
SI3420A-TP参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 28 毫欧 @ 5A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 515pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 1.25W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
SI3420A-TP手册
SI3420A-TP概述
SI3420A-TP 产品概述
SI3420A-TP 是一款基于 N 通道 MOSFET 技术的高性能场效应晶体管，广泛应用于低电压电源开关、消费电子产品以及电力管理系统。这款器件以其极低的导通电阻、高效的功率管理能力和宽广的工作温度范围，成为现代电子设计中的理想选择。
技术规格
SI3420A-TP 的漏源电压 (V_DSS) 达到 20V，这使得它能够在多种中低压应用中稳定运行。其连续漏极电流 (I_D) 高达 6A，意味着它能支持相对较大的电流负载，从而满足大多数常见的电子电路需求。在功率耗散方面，SI3420A-TP 的最大功率耗散能力为 1.25W，这是其在实际应用中长期稳定运行的保证。
本器件的导通电阻 (R_DS(on)) 在 4.5V 驱动电压下为最大 28 毫欧，这对于降低功耗、提高系统效率具有重要意义。与之配合，在相对低的驱动电压 (2.5V) 下，同样表现出良好的导电性能，标志着其在复杂电源管理方案中的适用性。
栅极特性与驱动电压
在栅极驱动方面，SI3420A-TP 支持的栅源电压 (V_GS) 最大为 ±10V，确保了它能与多种微控制器及驱动电路兼容。此外，在 5A 和 4.5V 的情况下，栅极电荷 (Q_g) 的最大值为 12nC，使得该器件在开关速度和驱动效率方面更具优势。这些参数的优化使得 SI3420A-TP 能僅以较低的栅电压进行高效的驱动，同时降低了整体功耗。
输入电容和温度特性
输入电容 (C_iss) 达到 515pF（在 10V 下测量），有效降低了开关过程中的能量损耗，有助于提升工作效率。在不同环境温度（-55°C ~ 150°C）下，SI3420A-TP 依然保持稳定的性能，不受极端工作条件的干扰。
适用封装和安装
SI3420A-TP 提供 SOT-23 封装形式，尺寸紧凑，方便表面贴装安装，适合高密度电路设计。这种封装形式不仅节省空间，同时也便于自动化生产，适应现代电子产品对体积和生产效率的高要求。
应用领域
SI3420A-TP 适用于广泛的应用，例如：
- 电源管理：用于开关电源中，实现高效的电源转换和负载管理。
- 消费电子：在手机、平板电脑、和其他便携设备中的电源管理与负载驱动中广泛使用。
- 电动机驱动：在电机控制系统中，作为低电压驱动级的开关器件。
- DC-DC 转换器：用于高效的能量转换和传输，确保系统的稳定性和可靠性。
结论
综上所述，SI3420A-TP 凭借其出色的电气性能、宽泛的工作温度范围以及优质的封装选项，不仅满足了现代电子产品日益严格的性能要求，而且在多种应用场景中展现出卓越的适应性和竞争力。无论是在提升系统效率，还是在实现极致小型化设计方面，SI3420A-TP 都是理想的选择。