晶体管类型 | NPN,PNP | 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 100mA |
电压 - 集射极击穿(最大值) | 45V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 600mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大值) | 15nA(ICBO) | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 200 @ 2mA,5V |
功率 - 最大值 | 380mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 | 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
SBC847BPDW1T1G 是一款由安森美 (ON Semiconductor) 生产的高性能晶体管,属于双极型晶体管(BJT)系列,提供了优异的电气性能和可靠性。该晶体管以其出色的工作特性,适用于各种电子电路中的开关和信号放大应用,是现代电子设备中不可或缺的基本元件。
SBC847BPDW1T1G 由于其优秀的性能和适应性,可广泛应用于以下领域:
SBC847BPDW1T1G 是一款多功能、高性能的 NPN 和 PNP 双极型晶体管,具备良好的电流增益、低饱和压降和更高的工作频率,能够在各种苛刻应用中保持卓越的性能。其广泛的工作温度范围及小巧的封装设计,使其成为现代电子设备设计中一项理想的选择。无论是在消费电子、汽车、工业、还是通信领域,SBC847BPDW1T1G 都将以其出色的性能和可靠性,为您的设计带来更大的灵活性和高效性。