SUD50N025-06P-E3
SUD50N025-06P-E3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 25V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 78A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 66nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2490pF @ 12V |
| 功率耗散（最大值） | 10.7W（Ta），65W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
SUD50N025-06P-E3手册
SUD50N025-06P-E3概述
SUD50N025-06P-E3 产品概述
产品概述
SUD50N025-06P-E3 是由全球知名的电子元器件制造商 VISHAY（威世半导体）生产的一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子及开关电源应用。这款MOSFET的设计专注于高效能和低导通电阻，能够在较高的电流条件下维持优良的性能，具备25V的漏源电压，适用于低至中等电压的应用。在现代电子电路设计中，对于高效率和高可靠性的需求日益增加，SUD50N025-06P-E3正好满足了这一要求。
主要特性
漏源电压（Vdss）： SUD50N025-06P-E3 的最大漏源电压为25V，非常适合应用于12V和24V电源系统，同时，其在25V的额定范围内提供了卓越的性能。
连续漏极电流（Id）： 此器件的额定连续漏极电流为78A（在Tc条件下），使其能够支持高功率的应用场合，突出在电机驱动、DC-DC转换器及电源管理的使用。
导通电阻（Rds On）： 在10V的栅极驱动电压下，器件的最大导通电阻为6.2毫欧（@20A），这确保了在高电流工作时能效极高，减少了因导通损耗引起的热量产生，从而提高了整体系统的热管理效果。
栅极阈值电压（Vgs(th)）： Vgs(th)的最大值为2.4V（@250µA），意味着该MOSFET可以在较低的栅极电压下开启，增大了其与不同微控制器或驱动器兼容的能力，便于设计的灵活性。
栅极电荷（Qg）： 最大栅极电荷值为66nC（@10V），这一特性对于频繁开关应用（如PWM控制）尤为重要，降低了开关损耗并提升了开关速度。
工作温度范围： 工作温度可在-55°C到175°C的范围内，适合于极端环境应用，稳健性和可靠性突出，确保在不同行业（如汽车电子、工业控制、以及航空航天领域）中的适用性。
功率耗散： 该MOSFET在环境温度下的最大功率耗散为10.7W，而在绝缘散热条件（Tc）下可达到65W，使其在高负载条件下有足够的散热能力。
封装与安装类型
SUD50N025-06P-E3 采用表面贴装的TO-252封装（又称D-Pak），具有方便焊接的特性。这种封装设计可以减小PCB空间需求，同时由于其较低的热阻，提升了散热性能，适合用于高密度组装的电路板。
应用领域
SUD50N025-06P-E3 的应用非常广泛:
- 开关电源：在AC-DC或DC-DC转换器中作为开关元件，提高能量转换效率。
- 电机驱动：控制各类电机运行的电子控制单元中，提供高效能和可靠性。
- 汽车电子：如电池管理系统和电动驱动系统，满足现代汽车对能效和可靠性的高要求。
- 工业控制：高性能、耐环境的控制器和驱动器，确保机器设备的稳定运行。
总结
总的来说，SUD50N025-06P-E3是一个高效、可靠、功能强大的N通道MOSFET，凭借其低导通电阻、大电流承载能力以及广泛的工作温度范围，使其成为各种高功率、高频率应用的理想选择。无论是需要高效率的开关电源，还是苛刻的工业和汽车电子应用，该MOSFET都能够提供出色的性能，从而支持现代电子设计的不断发展与创新。