SUB70N03-09BP-E3 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SUB70N03-09BP-E3

商品编码: BM0084327095
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
TO-263-3
包装 : 
-
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.71
按整 :
-(1-有800个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.71
--
10+
¥1.42
--
400+
¥1.32
--
4800+
产品参数
产品手册
产品概述

SUB70N03-09BP-E3参数

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SUB70N03-09BP-E3手册

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SUB70N03-09BP-E3概述

SUB70N03-09BP-E3 产品概述

一、产品介绍

SUB70N03-09BP-E3 是由VISHAY(威世)公司生产的一款高性能场效应晶体管(MOSFET),采用TO-263-3封装,具有优异的电气性能和热特性,广泛应用于功率开关、直流-直流转换器、马达驱动等领域。该元器件的设计旨在支持高效的电能转换,并且提供出色的电流承载能力及低导通电阻,满足现代电子设备对高效率和小体积的需求。

二、主要特点

  1. 低导通电阻:SUB70N03-09BP-E3的R_DS(on)值极低,使得在工作中能有效降低功耗,提升系统效率。
  2. 高电流承载能力:该MOSFET能够承受高达70A的持续电流,适用于高功率应用场景。
  3. 宽工作电压范围:此元器件可以在较高的电压下稳定工作,适用于多种电源设计。
  4. 优良的散热性能:TO-263-3封装设计使得散热效率大幅提升,适合在高温环境下长时间稳定运行。
  5. 快速开关特性:该MOSFET具备较快的开关速度,显著提升了开关模式电源(SMPS)及其他应用的频率响应。
  6. 抗干扰能力强:在高频操作时,SUB70N03-09BP-E3能够有效抵抗电磁干扰,确保系统的稳定性和可靠性。

三、技术规格

  • 封装形式:TO-263-3
  • 最大漏极-源极电压(V_DS):30V
  • 最大漏极电流(I_D):70A
  • 导通电阻(R_DS(on)):约9.2毫欧(在特定条件下)
  • 最高工作温度(Tj):175°C
  • 输入电容(Ciss):3500pF(典型值)
  • 电气特性:符合RoHS标准,环境友好。

四、应用领域

SUB70N03-09BP-E3由于其出色的性能,广泛应用于以下领域:

  1. 开关电源:在AC/DC或DC/DC转换器中作为开关元件,确保高效能的电能转换。
  2. 电动汽车:适用于电动机驱动控制模块,提升电动汽车的能效和性能。
  3. 工业自动化:用于伺服电机驱动器,控制精度高,实现高效运动控制。
  4. 消费电子:如笔记本电脑、电视机等各类消费电子设备的电源管理系统。
  5. 风能及太阳能发电:在可再生能源系统中用于逆变器,优化电能输送。

五、应用示例

在一种典型的开关电源应用中,SUB70N03-09BP-E3被作为主开关开关管使用,能够在高频率下快速切换,减少开关损耗,且其低导通电阻特性能够显著提高能量转换效率,从而使得整体系统效能达到最优。此外,结合合适的驱动电路,该MOSFET能够实现高度集成的功率管理方案,进一步缩小电路板的尺寸,提高系统的可靠性。

六、总结

SUB70N03-09BP-E3是一款功能强大且灵活多样的MOSFET解决方案,凭借其低导通电阻、高电流处理能力以及优秀的热管理特性,成为现代功率电子领域的重要组件。无论是在开关电源、电动汽车还是在消费电子设备中,VISHAY所提供的这款MOSFET都表现出色,是推动高效能电能管理和转换的理想选择。