SIS862DN-T1-GE3
SIS862DN-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 8.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.6V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 32nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1320pF @ 30V |
| 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SIS862DN-T1-GE3手册
SIS862DN-T1-GE3概述
SIS862DN-T1-GE3 产品概述
概述
SIS862DN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 通道增强型金属氧化物场效应管（MOSFET）。其设计旨在满足现代电子设备日益增长的功率处理和效率需求。该器件的主要特性包括高漏源电压承受能力、极低的导通电阻和较高的功率耗散能力，使其广泛应用于电源管理、工业控制、以及其他要求高效率的数字电路中。
关键参数
- 类型: N 通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）: 60V
- 连续漏极电流（Id）: 20A（在 25°C 时为 40A）
- 导通电阻（Rds(on)）: 最大值为 8.5 毫欧（在 10V Vgs 和 20A Id 条件下）
- 驱动电压: Rds(on) 在 4.5V 和 10V 下的表现
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大 2.6V（在 250µA 电流下）
- 栅极电荷（Qg）: 最大值 32nC（在 10V Vgs 条件下）
- 输入电容（Ciss）: 最大值 1320pF（在 30V Vds 条件下）
- 功率耗散能力: 3.7W（环境温度 Ta），52W（结温 Tc）
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
- 封装类型: PowerPAK® 1212-8
- 安装类型: 表面贴装型
应用领域
SIS862DN-T1-GE3 MOSFET 的低导通电阻和高电流容量，使其在多种应用中表现出色，具体包括：
电源管理: 由于其高效率和可靠性，该器件广泛应用于开关电源（SMPS）、直流-直流转换器和电池管理系统。其低 Rds(on) 值能够显著减少导通损耗，提高电源转换效率。
电机驱动: 在电动机控制应用中，该 MOSFET 可以用作开关元件，通过快速的开关频率实现电机的精确控制，满足高动态响应能力的需求。
自动化和工业控制: 由于其卓越的热性能和环境适应能力，SIS862DN-T1-GE3 非常适合在高温、高负荷的工业环境中使用，提供可靠的信号放大和开关功能。
消费电子: 在快速发展的消费电子行业，SIS862DN-T1-GE3 用于智能手机、平板电脑及其他便携设备中，以优化功率管理，实现长时间的电池寿命。
性能优势
低导通电阻: 低 Rds(on) 值可减少在工作过程中因电流流动而产生的热量，提升产品稳定性。
高功率耗散能力: 其设计允许在高电流、低温度条件下持续运行，确保良好的散热性能，满足高功率应用需求。
宽工作温度范围: 支持从 -55°C 到 150°C 的宽温度范围，适用于多种极端环境，可以在各种应用中保持良好的性能。
优异的动态特性: 适用于高频和快速开关操作，保证在不同工作条件下的快速响应和高效率。
结论
SIS862DN-T1-GE3 是一款具备多种优良特性并具备广泛应用前景的 N 通道 MOSFET，凭借其高效能、电流承载能力和稳定性，可以帮助设计人员在电源管理和控制系统中实现更高的效率和更优的性能。在未来的电子发展中，该器件将为提高设备能效和可靠性发挥重要作用。