SIR168DP-T1-GE3
SIR168DP-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 40A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.4 毫欧 @ 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 75nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2040pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 5W（Ta），34.7W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SIR168DP-T1-GE3手册
SIR168DP-T1-GE3概述
SIR168DP-T1-GE3 产品概述
SIR168DP-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世）公司生产的高性能 N 通道 MOSFET，广泛应用于各种电子设备和电力电子应用。凭借其卓越的电气性能和可靠性，SIR168DP-T1-GE3 主要针对需要高效能和高密度功率转换的电源管理、电动机驱动、以及其他工业用途。
基本特性和参数
FET 类型与技术 SIR168DP-T1-GE3 属于 N 通道 MOSFET 类型，采用金属氧化物半导体技术。MOSFET 特有的输入阻抗高、开关速度快等特点，使其在开关控制场合表现优异。
漏源电压（Vdss） 该器件能够承受最高 30V 的漏源电压，满足大多数低压电源转换应用的需求，适用于电池供电和低压 DC-DC 转换器等。
连续漏极电流（Id） 在 25°C 的环境温度下，SIR168DP-T1-GE3 的连续漏极电流可达 40A。该高电流能力使其在高功率应用中表现优越。
导通电阻 (Rds(on)) 在 10V 的栅极驱动电压和 15A 的漏极电流下，该 MOSFET 的最大导通电阻为 4.4 毫欧，确保了优秀的能量效率，减小了在运行中的功率损耗。
栅源电压（Vgs） SIR168DP-T1-GE3 的栅极驱动电压适应范围为 4.5V 至 10V，使得在多种工作条件下都能实现快速的开关响应，同时其栅极极限电压高达 ±20V，以防止任何栅极过压情况。
栅极电荷与输入电容 器件的最大栅极电荷为 75nC（在使用 10V 驱动时），使其在开关过程中维持很低的开关损耗。同时，最大输入电容为 2040pF（在 15V 时），确保高频率操作时的性能。
功率耗散与工作温度 SIR168DP-T1-GE3 的最大功率耗散能力可达 5W（环境温度 Ta）和 34.7W（结温 Tc），这使得该器件在高温环境下可靠工作。其工作温度范围广泛 (-55°C ~ 150°C)，适合于极端气候和苛刻工作环境。
封装与安装类型 SIR168DP-T1-GE3 采用 PowerPAK® SO-8 封装形式，具有优良的热性能和紧凑的尺寸，适合需要高密度和小体积的电子设计。其表面贴装型设计也有效降低了PCB空间占用。
应用领域
由于其出色的性能参数，SIR168DP-T1-GE3 广泛应用于如下领域：
- 开关电源：在各种 DC-DC 转换器、电源管理模块中负责功率的开关控制。
- 电机控制：适用于电动机驱动电路，提高系统效率并减少热损失。
- 电池管理系统：在电动车与便携式电子设备中，实现高效能的电力转换与管理。
- 高可靠性工业设备：特别是对于高温及恶劣环境下的工业应用。
结论
总体来看，SIR168DP-T1-GE3 是一款高效、可靠的 N 通道 MOSFET，能够在多种苛刻条件下稳定工作。凭借其较低的导通电阻、高电流能力和广泛的工作温度范围，该器件为现代电子电力管理方案提供了强有力的支持，难怪它在设计工程师和行业用户中广受欢迎。对高效能和小型化有需求的应用场合，SIR168DP-T1-GE3 绝对是一个值得选择的理想元器件。