SIA913ADJ-T1-GE3

SIA913ADJ-T1-GE3 产品概述

产品名称: SIA913ADJ-T1-GE3

类型: 双 P 沟道 MOSFET 阵列

品牌: VISHAY（威世）

封装: PowerPAK® SC-70-6 双

1. 产品概述

SIA913ADJ-T1-GE3 是一款由全球知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）推出的高性能双 P 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）阵列。该产品采用表面贴装设计，特别适合对空间和散热要求较高的电子电路板应用。这款 MOSFET 阵列的额定漏源电压为 12V，持续漏极电流可达 4.5A，最大功率达 6.5W，能够满足各种高效能电源管理和开关控制需求。

2. 关键参数

• 安装类型: 表面贴装型 (SMD)

• 两种工作模式: 作为逻辑电平门，用户可以通过控制栅极电压（Vgs）来有效调节器件的导通与关断，有效支持低电压逻辑水平操作。

• 导通电阻 (Rds(on)): 在3.6A和4.5V的条件下，最大导通电阻为 61 毫欧，显示出其优异的导通性能，降低了能量损失，并提高了整体系统效率。

• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，最大连续漏极电流为 4.5A，使其能够处理高电流负载，适用于多个应用场景。

• 漏源电压（Vds）: 限制在 12V 之内，为多种低压应用提供了稳定性。

• 输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 590pF（6V时），适合高频应用。

• 栅极电荷 (Qg): 最大值为 20nC（8V时），这有助于提升开关速度，降低驱动损耗。

• 阈值电压 (Vgs(th)): 最大阈值电压为 1V（在250µA时），使其在较低电压下即可实现导通，适应低电压数字信号的高效控制。

• 工作温度: 工作环境温度范围从 -55°C 到 150°C，适合严酷环境下的应用。

3. 应用领域

SIA913ADJ-T1-GE3 的广泛应用场景包括但不限于：

• 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、线性稳压电源等。

• 电机驱动: 可以用作电机控制电路的开关元件，效率高且发热量低。

• 负载开关: 控制大功率负载的开关，适合消费电子和工业控制。

• 便携式设备: 涉及手机、平板电脑和笔记本电脑等微型设备中的功率管理。

4. 结论

SIA913ADJ-T1-GE3 是一款为现代电子产品设计的高效、低功耗的双 P 沟道 MOSFET 阵列，其出色的电气性能与宽工作温度范围使其成为各类电源管理和控制应用的理想选择。通过其卓越的导通电阻、阈值电压及快速开关特性，这款 MOSFET 提供了极佳的电源转换效率，并有助于减少整体系统的能量损耗。无论是在消费电子、工业设备，还是在严苛的工作环境中，SIA913ADJ-T1-GE3 都能够为设计师和工程师提供可靠的解决方案，满足现代电子产品对高效能和高稳定性的需求。