SI7382DP-T1-E3

SI7382DP-T1-E3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，来自知名半导体制造商 VISHAY（威世）。该产品采用表面贴装的 PowerPAK® SO-8 封装，专为需要高效开关性能和紧凑设计的现代电子设备而设计。这款 MOSFET 的技术规格非常适合各种工业和消费类应用，如电源管理、高效电机驱动、照明控制和电池管理系统等。

核心参数与性能

SI7382DP-T1-E3 的漏源电压（Vdss）为 30V，能够满足大多数中低压应用的需求。它的连续漏极电流（Id）在 25°C 的环境温度下可以达到 14A，非常适合需要高电流能力的电路。MOSFET 的导通电阻（Rds On）在 10V 的栅极驱动电压下，最大值为 4.7 毫欧，这一低导通电阻特性可以有效降低功耗和热量产生，从而提高系统的整体效率。

栅极驱动与阈值电压

该产品的驱动电压支持 4.5V 和 10V 的应用，用户根据具体需求选择适合的工作电压。Vgs(th) 最大值为 3V，确保 MOSFET 在较低栅极电压下也能快速导通。对于栅极电荷（Qg），它在 4.5V 时的最大值为 40nC，表明该嵌入式器件在高频开关操作中具有良好的驱动能力，这对于现代高频设计非常重要。

工作环境与热管理

SI7382DP-T1-E3 的最大功率耗散为 1.8W，这就要求在实际使用中合理考虑散热措施。该MOSFET 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其在各种恶劣环境下仍能够稳定工作，适用于工业、汽车和军事等高要求领域。

封装设计与安装类型

产品采用 PowerPAK® SO-8 封装，这种封装形式不仅节省了板上空间，还提升了散热性能。其表面贴装设计使得安装方式更加灵活，能够与自动化生产线高效整合。

应用领域

由于其综合性能，SI7382DP-T1-E3 广泛应用于飞轮储能系统、电动汽车驱动、电源转换器、DC-DC 变换器、LED 驱动电路及其它需要高开关频率和低开关损耗电路的场合。此外，该芯片尤其适合用于电气性能极其严格的设备，如手持设备、计算机电源及各类传感器和执行器。

结论

综上所述，SI7382DP-T1-E3 是一款具有卓越性能、可靠性的 N 通道 MOSFET，凭借其优异的导通电阻、宽广的工作温度范围以及良好的栅极电荷特性，其在各种应用中均表现出色。该型号的 MOSFET 将为设计工程师提供更多的灵活性和高效能选择，帮助他们实现更高的设计目标。对于需要高效、节能解决方案的现代电路设计，SI7382DP-T1-E3 是一个非常理想的元件选项。