SISA01DN-T1-GE3
SISA01DN-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 4.9 毫欧 @ 15A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 22.4A（Ta），60A（Tc） | FET 类型 | P 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3490pF @ 15V | Vgs（最大值） | +16V，-20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 84nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 功率耗散（最大值） | 3.7W（Ta），52W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.2V @ 250µA | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SISA01DN-T1-GE3手册
SISA01DN-T1-GE3概述
SISA01DN-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SISA01DN-T1-GE3 是一款精良设计的 P 通道 MOSFET，由知名品牌 VISHAY（威世）推出。该器件采用表面贴装型封装（PowerPAK® 1212-8），适用于各种电子电路中的开关和放大应用。凭借其优良的导通电阻性能和宽广的工作温度范围，SISA01DN-T1-GE3 是高效能电源管理和负载开关应用的理想选择。
二、核心参数
漏源电压（Vdss）: SISA01DN-T1-GE3 的最大漏源电压为 30V，这使其适合在低至中等电压的应用环境中使用。
导通电阻（Rds(on)）: 在 Vgs 为 10V 和 Id 为 15A 时，该器件的最大导通电阻仅为 4.9 毫欧，显示了其优良的导电性能，能够有效降低功耗和发热。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境下，其连续漏极电流可达 22.4A，在温度控制下可达到 60A，为高电流应用提供了足够的能力。
功率耗散: 在环境温度（Ta）为 25°C 时，SISA01DN-T1-GE3 的最大功率耗散为 3.7W，而在热管理良好的情况下，允许功率耗散可达到 52W，为大功率应用提供了可靠支持。
门极电压（Vgs）: 该器件的最大 Vgs 值可达 +16V 和 -20V，适应多种驱动电压下的应用需求。
工作温度: SISA01DN-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，能够适应恶劣环境下的工作负荷。
栅极电荷（Qg）: 在 Vgs 为 10V 时，栅极电荷值为 84nC，这对于降低切换损耗和提高开关频率是非常有益的。
三、技术特点
高效能导电性: 由于其低导通电阻，SISA01DN-T1-GE3 能够在高负载条件下保持较低的温度，提高了整体的能效和系统的可靠性。
优越的热管理性能: 该器件的最大功率耗散能力高，可有效应对大电流和高功率条件下的散热挑战，使设计工程师能够更灵活地处理高负载应用。
适用多种应用: 它非常适合于电源管理、负载开关、DC-DC 转换器、马达驱动器等多种领域，作为高效能开关元件。
高温稳定性: 其广泛的工作温度范围确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性，为工业级及汽车应用提供了放心的选择。
四、应用领域
SISA01DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域：
电源管理: 在开关电源和直流-直流转换器中，作为高效能开关元件使用。
负载开关: 可以高效地控制负载电流的开关，广泛应用于电池管理和能量分配系统。
电机驱动: 在电动机驱动应用中，作为开关元件，实现对电机的精确控制与调速。
汽车电子: 在汽车电子系统中满足高温和高可靠性的需求，是电动汽车与混合动力汽车中电源管理的关键组件。
五、总结
SISA01DN-T1-GE3 是一款 性能可靠、适应性广、科学设计的 P 通道 MOSFET，凭借其优秀的参数特性和稳定的工作性能，特别适合高效电源管理和开关应用中。其出色的功率控制能力和低热量特性，为现代电子设计提供了更高的能源效率，广泛应用于工业与消费类电子产品。选择 SISA01DN-T1-GE3，您将能在您的设计中获得更高效、更稳定和更经济的解决方案。