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SI8413DB-T1-E1
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
4-Microfoot
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.47W 20V 4.8A 1个P沟道 XFBGA-4
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
1.66按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.66
--
50+
￥1.28
--
1500+
￥1.16
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI8413DB-T1-E1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 48 毫欧 @ 1A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 21nC @ 4.5V |
| Vgs（最大值） | ±12V | 功率耗散（最大值） | 1.47W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-Microfoot | 封装/外壳 | 4-XFBGA，CSPBGA |
SI8413DB-T1-E1手册
无数据
SI8413DB-T1-E1概述
产品概述：SI8413DB-T1-E1 MOSFET
基本信息
SI8413DB-T1-E1 是一款由知名电子元器件供应商 VISHAY（威世）生产的 P 通道 MOSFET（场效应晶体管）。这款 MOSFET 具有出色的电气性能和宽广的应用范围，适用于各类电子电路设计，尤其是高频和高效率的开关电源、马达驱动、电池管理系统以及其它功率控制应用。
技术规格
FET 类型与技术：该器件采用 MOSFET 技术，具有 P 通道特性，能够在较低的栅源电压（Vgs）上实现良好的导通。
电气参数：
- 漏源电压 (Vdss)：该器件的最大漏源电压为 20V，适合处理较低电压电路。
- 连续漏极电流 (Id)：在 25°C 环境温度下，该器件能够承受连续 4.8A 的漏极电流，显示出其在高负载情况下的可靠性和耐久性。
- 最小、最大 Rds On 驱动电压：在 2.5V 和 4.5V 驱动电压下，器件展现出良好的开关性能，此特性使其在低电压应用中依然保持优异的导通效率。
导通电阻：
- 在 4.5V 的栅极驱动下，器件在 1A 电流时的导通电阻 (Rds On) 最大值为 48 毫欧，说明其在导通时能够有效降低功率损耗。
栅极阈值电压 (Vgs(th))：该器件的 Vgs(th) 最大值为 1.4V（@ 250µA），意味着其在低电压下就能启动，适合多种低功耗应用。
栅极电荷 (Qg)：在 4.5V 栅极驱动下，栅极电荷最大值为 21nC。这个参数对高频开关应用至关重要，较小的电荷能够让器件快速开关，提升效率。
功率耗散：该器件最大功率耗散为 1.47W，使其在高密度散热条件下工作且不会过热。
工作温度范围：SI8413DB-T1-E1 器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），使其适用于苛刻的工作环境，包括极端温度下的电子产品。
封装与安装：
- 该装置采用 4-Microfoot 表面贴装型封装，封装尺寸小，有利于高密度电路设计。
- 其外壳类型为 4-XFBGA/CSPBGA，十分适合于现代小型化电子设备。
应用场合
由于 SI8413DB-T1-E1 的优越特性，该 MOSFET 可以被广泛应用于：
- 开关电源：其低导通电阻和较高电流承受能力使得它在高效率开关电源应用中表现出色，能够降低功耗和热量堆积。
- 电池管理系统：在电池充放电过程中，该 MOSFET 可以有效控制充电过程，延长电池寿命。
- 电机驱动：适用于直流电机和步进电机的驱动，能够在保持高效能的同时，降低功率损失。
- 汽车电子：在汽车领域，适合用于电源管理、照明控制和电动助力转向系统等多种应用。
总结
SI8413DB-T1-E1 MOSFET 结合高效的电气性能、宽广的工作温度范围和小型化封装，充分体现了现代电子产品对优良元器件的需求。无论在开关电源、电池管理还是其他高性能应用中，SI8413DB-T1-E1 都展现出极强的适应性和使用价值。凭借 VISHAY 的品牌实力和技术支持，用户可以期待其在实际应用中的稳定表现。