SI9926CDY-T1-GE3

产品概述：SI9926CDY-T1-GE3 N-通道 MOSFET

引言

SI9926CDY-T1-GE3 是一款高性能的 N-通道 MOSFET，广泛应用于各种电子电路中，特别适合用于逻辑电平控制的开关和驱动需求。该器件由 VISHAY（威世）制造，采用具有良好热性能的 8-SOIC 封装，能够支持高频率和高电流的应用环境。

基础参数及特性

SI9926CDY-T1-GE3 的主要参数如下：

• FET 类型：2 N-通道（双）
• FET 功能：逻辑电平门，能够在低电压下有效驱动。
• 漏源电压（Vds）：20V，适用于中等电压的电路设计。
• 连续漏极电流（Id）：8A，提供强大的电流处理能力，适合用于需要大功率输出的场合。
• 导通电阻（Rds(on)）：最大值为 18 毫欧 @ 8.3A，4.5V，确保了低功耗和高效率的特性。
• 栅极源阈值电压（Vgs(th)）：最大值为 1.5V @ 250µA，便于与微控制器等逻辑电平设备直接接口。
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 33 nC @ 10V，使其适合高频应用。
• 输入电容（Ciss）：最大值为 1200 pF @ 10V，确保开关速度快，响应迅速。
• 最大功率：3.1W，满足各种负载条件下的功率需求。
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），适用于严苛的工作环境。

封装与安装

该 MOSFET 采用 8-SOIC 封装（0.154"，3.90mm 宽），适合表面贴装（SMD）技术，可以轻松集成到紧凑的电路板设计中。其小巧的尺寸和低的引脚间距使得在高密度组装中依然保持良好的散热性能和电气性能。

应用场景

SI9926CDY-T1-GE3 可广泛应用于多个领域，包括但不限于：

1. 电源管理：在开关电源中作为高效的开关元件，提升整体能效。
2. 电机驱动：用于 DC 和步进电机的驱动应用，保障稳定性和可靠性，尤其是在高频和高负载状态下的表现。
3. 信号开关：在通信设备中作为信号开关，支持快速开关操作。
4. 逻辑电平接口：可以连接到逻辑控制器、微控制器等，以实现简化的控制逻辑。

性能优势

1. 高效率：由于其低导通电阻和优秀的开关特性，SI9926CDY-T1-GE3 在高电流应用中可显著减少功耗，提升能效。
2. 宽工作温度范围：设计适应严苛环境的能力，使其可以在航天、汽车及工业应用中被轻松集成。
3. 兼容性强：能与多种逻辑电平设备兼容，简化电路设计，减少了额外的驱动电路需求。

结论

SI9926CDY-T1-GE3 是一款功能强大、性能优越的 N-通道 MOSFET，适用于各种电源和逻辑控制应用。其低导通电阻、大电流承载能力和宽工作温度范围，使得它在现代电子设备中的应用范围十分广泛。此外，VISHAY 的品牌信誉和品质保证，也为设计师提供了稳定可靠的选择。在追求高效率和高可靠性的电子设计中，SI9926CDY-T1-GE3 是一个理想的解决方案。