SI7682DP-T1-E3

产品概述: SI7682DP-T1-E3

SI7682DP-T1-E3 是一款高性能 N 通道 MOSFET（场效应晶体管），由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产。该产品采用了先进的金属氧化物半导体技术，专为提供卓越的电气性能和高效率而设计。其多种特性使其在广泛的应用领域中具备了巨大的潜力，包括电源管理、电机驱动和其他需要高效功率开关的场合。

1. 基本参数与性能

SI7682DP-T1-E3 的漏源电压（Vdss）为 30V，能够有效承受高达 30V 的电压，这使得该器件在许多中等电压电路中应用广泛。其连续漏极电流（Id）为 20A，能够满足大电流的需求，确保在高负载情况下的稳定工作。产品的最大 Rds On（导通电阻）为 9 毫欧（在 20A，10V 条件下），展现出优秀的低导通电阻特性，这使得 SI7682DP-T1-E3 能够有效降低能量损耗及发热。

驱动电压方面，该 MOSFET 可在 4.5V 至 10V 范围内操作，提供灵活的控制选择。产品可在多种驱动电压下实现优秀的开关性能，适合各类驱动电路设计。

2. 开关特性与电容

在结构设计中，SI7682DP-T1-E3 的栅极阈值电压（Vgs(th)）最大为 2.5V，允许在较低的电压下实现导通，进一步简化了驱动电路的设计。此外，该 MOSFET 在 Vgs 为 10V 时的栅极电荷（Qg）为 38nC，使其在开关频率较高的应用中保持较低的开关损耗。

输入电容（Ciss）最大为 1595pF（在 15V 条件下），即使在高工作频率下，也能提供稳定的表现，减少了高频操作中的影响。

3. 温度与功率处理

SI7682DP-T1-E3 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，使其适合于恶劣环境下的应用。高达 5W 的功率耗散（在环境温度，Ta 下）和 27.5W 的功率耗散（在结温，Tc 下）提供了多种散热管理的方案，确保其性能在长时间工作中得到保证。

4. 封装说明

该 MOSFET 采用了表面贴装型的 PowerPAK® SO-8 封装，具有良好的散热特性和小尺寸的优势，适合在空间受限的电路板设计中使用。其封装设计优化了电气性能，降低了功率损失，提高了产品的整体效率。

5. 应用场景

凭借上述特性，SI7682DP-T1-E3 在电源管理、开关电源、直流/直流转换器、电机驱动、LED 驱动、充电器等应用中具有广泛的适用性。其低导通电阻与高额定电流特性，使其在高效能电路设计中成为理想的选择。

总结

SI7682DP-T1-E3 是一款经过精心设计的 N 通道 MOSFET，凭借其出色的电气性能、宽广的工作范围和出色的散热能力，能够满足现代电子产品对功率开关器件日益严格的要求。该产品不仅展现了 VISHAY 的技术实力，也提供了强有力的解决方案，以助力工程师在各类高效电路设计中的挑战。对于追求高效、稳定与性能的设计师来说，SI7682DP-T1-E3 是一种值得信赖的选择。