SI8457DB-T1-E1
SI8457DB-T1-E1参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 12V | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19 毫欧 @ 3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 93nC @ 8V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2900pF @ 6V | 功率耗散（最大值） | 1.1W（Ta），2.7W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 4-MICRO FOOT®（1.6x1.6） | 封装/外壳 | 4-UFBGA |
SI8457DB-T1-E1手册
SI8457DB-T1-E1概述
SI8457DB-T1-E1 产品概述
产品简介
SI8457DB-T1-E1 是一款由VISHAY（威世）推出的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），具有优异的电气特性和坚固的结构设计。该器件专为多种应用设计，如电源开关、负载驱动和功率管理，可有效满足高效能和高可靠性的需求。其独特的封装设计和高温工作能力，使其在现代电子应用中展示出优越的性能。
核心特性
电压和电流处理能力：SI8457DB-T1-E1 的漏源电压（Vdss）达到12V，最大漏电流（Id）为6.5A，适合高电流和低电压的应用场景，提升了设备在高负载情况下的稳定性。
导通电阻：该器件在4.5V的栅源电压下，最大导通电阻（Rds(on)）为19毫欧（@3A），可显著降低在开关操作过程中的功率损耗，提升整体效率。
阈值电压：Vgs(th) 的最大值为700mV（@250µA），这使得该MOSFET在较低的栅电压下能够高效切换，增加了适用范围并简化了驱动电路设计。
输入电容和栅极电荷：在6V时，输入电容（Ciss）最大值为2900pF，良好的输入特性为快速开关响应提供了基础。此外，93nC的栅极电荷（Qg @ 8V）使其适合高频应用。
功率耗散和温度范围：SI8457DB-T1-E1 的最大功率消耗为1.1W（Ta）和2.7W（Tc），表明其在适宜的散热条件下，可以高效工作而不降低性能。工作温度范围为-55°C至150°C，支持极端工作环境，确保器件在各种条件下的可靠性。
结构与封装
SI8457DB-T1-E1 采用紧凑的4-MICRO FOOT®（1.6x1.6 mm）表面贴装封装，其小巧的尺寸方便在空间有限的电路板上实现高密度布线。UFBGA封装的设计也优化了热传导，使器件在高负载运行时能够有效散热，提高了总体的工作性能。
应用场景
SI8457DB-T1-E1 在多个领域展现了广泛的应用潜力。具体包括：
电源管理：适用于开关电源电路，能够有效控制电源的启停状态，提升电源转换效率。
电动机驱动：在电动机控制系统中提供高效驱动，帮助优化电动机的启动、停止和调速过程。
消费电子：可广泛运用在电池供电的设备中，如手持设备、笔记本电脑和其他移动产品，帮助实现长效续航。
汽车电子：在汽车电气系统中，用于电源开关和负载控制，确保系统高效且可靠地运行。
工业控制：在各种自动化控制系统中，作为负载开关或信号放大器使用，提升系统的响应速度和可靠性。
结论
SI8457DB-T1-E1 是一款高性能的P沟道MOSFET，凭借其卓越的电气特性、强大的功率处理能力及出色的温度适应性，成为现代电子设计中不可或缺的元件。其多功能的应用场景，使得它在电源管理、驱动控制以及其他应用中均能发挥重要作用，是设计师在选择场效应管时的优选产品。