SI4890BDY-T1-GE3

SI4890BDY-T1-GE3 产品概述

1. 引言

SI4890BDY-T1-GE3 是一种高性能的 N 通道 MOSFET（绝缘栅场效应晶体管），由知名电子元器件制造商 VISHAY（威世）生产。凭借其优异的电气特性和高效的性能，该器件广泛应用于各种电子设备中，包括电源管理、DC-DC 转换器和高效开关电路等领域。

2. 基本参数

• FET 类型: N 通道
• 技术: MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）
• 漏源电压 (Vdss): 30V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 16A（在晶体管壳体温度 Tc 下）
• 驱动电压: Rds On 最小为 4.5V，最大为 10V
• 导通电阻（Rds On）: 在 10A 和 10V 条件下，最大导通电阻为 12 毫欧
• 阈值电压 (Vgs(th)): 在 250µA 电流下，最大值为 2.6V
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，最大值为 33nC
• 最大 Vgs: ±25V
• 输入电容 (Ciss): 在 15V 条件下，最大值为 1535pF
• 功率耗散（最大值）: 2.5W（在环境温度 Ta 下）和 5.7W（在 Tc 下）
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C（结温 TJ）
• 安装类型: 表面贴装型
• 封装类型: SOIC-8 NARROW（8-SOIC）

3. 电气特性

SI4890BDY-T1-GE3 具备极低的导通电阻，使其在高电流应用中能够有效降低功耗，提升能效。这对于实现高效电源管理至关重要。此外，其较高的额定漏源电压和电流允许该器件在多种应用中稳定运行。

4. 应用场景

1. 电源管理: 此器件非常适合用于便携式设备的电池管理系统，能够高效控制输入电流，优化充电过程。

2. DC-DC 转换器: 在 DC-DC 转换器中使用时，SI4890BDY-T1-GE3 的低导通电阻能够有效减少转换过程中的功耗，提高整体转换效率。

3. 开关电路: 该 MOSFET 还适用于开关电路应用，通用性强，可以在高频率下进行高效的开关操作，广泛用于电机控制、照明和家电等领域。

4. 汽车电子: 鉴于其宽广的工作温度范围，SI4890BDY-T1-GE3 适合用于各种温度打击下的汽车电子应用，为车辆电气系统提供可靠的解决方案。

5. 使用及安装注意事项

在设计时间应考虑该器件的热管理，确保其在工作条件下不超过最大功率耗散限制。应用于高功率场合时，用户需要为MOSFET提供适当的散热设计以避免过热。此外，在实际应用中，应确保使用合适的驱动电压以达到最佳的导通性能。

6. 结论

总体来看，SI4890BDY-T1-GE3 是一款具有优异性能特征的 N 通道 MOSFET，适合广泛的应用场景，特别是在需要高效电源管理和高可靠性的领域。凭借其低导通电阻、宽工作温度范围以及优秀的功率耗散能力，该器件为设计工程师提供了理想的解决方案，帮助他们实现高效和稳定的电子系统设计。