SI7170DP-T1-GE3

产品概述：SI7170DP-T1-GE3

一、产品简介

SI7170DP-T1-GE3 是由威世（VISHAY）公司推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，专为需要高效率和大电流处理能力的应用而设计。该产品采用先进的 PowerPAK® SO-8 封装，具有卓越的热管理能力和高电流承载能力，能够满足现代电子设计中的严苛要求。它的主要应用领域包括电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动和高频开关电源等。

二、基本参数

1. FET 类型: N 通道
2. 技术: MOSFET（金属氧化物）
3. 漏源电压（Vdss）: 30V
4. 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 环境下，最高可达 40A（Tc）
5. 栅极驱动电压:
   • 最大 Rds On：4.5V
   • 最小 Rds On：10V
6. 导通电阻（Rds On）:
   • 在 10V 驱动电压下，@15A 最大值为 3.4 毫欧。
7. 阈值电压（Vgs(th)）:
   • 在 250µA 电流下，最大值为 2.6V。
8. 栅极电荷（Qg）:
   • 在 10V 驱动下，最大值为 100nC。
9. 栅源电压的最大值: ±20V。
10. 输入电容（Ciss）:
    • 在 15V 下，最大值为 4355pF。
11. 功率耗散:
    • 在环境温度下，最大功耗为 5W；在结温下，最大功耗可达 48W。
12. 工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）。
13. 安装类型: 表面贴装型（SMD）。
14. 封装类型: PowerPAK® SO-8。

三、技术特性

SI7170DP-T1-GE3 MOSFET 采用优质材料和先进的工艺技术制成，不仅提供了极低的导通电阻，同时在高频率和高温条件下也能保持良好的工作稳定性。其低 Rds On 值可显著减小开关损耗，从而实现更高的系统效率和更低的发热量。面对严苛的线路保护需求，该器件还具备较高的栅极电压耐受能力（±20V），使其在多种电气环境中均表现可靠。

四、应用场景

1. 电源管理: SI7170DP-T1-GE3 非常适合用于高效的 DC-DC 转换器设计，包括但不限于汽车电源、计算机电源和可再生能源系统等。
2. 电机控制: 此 MOSFET 有助于实现高效的电机驱动与控制，其高电流和低导通损耗特性使电机系统运行更为稳定。
3. 开关电源: 作为开关元件，SI7170DP-T1-GE3 可广泛应用于开关电源中，降低待机损耗，提高转换效率，从而节省能源。
4. 高频应用: 该 MOSFET 的低输入电容特性使其适用于高频率开关应用。

五、使用优势

• 节能高效: 由于其低导通电阻，能有效降低功耗，提升系统整体效率。
• 宽工作温度范围: -55°C 到 150°C 的宽广温度范围使得该器件可以在极端环境下稳定工作，适用于需要严格温控的专业应用。
• 易于集成: 采用表面贴装型（SMD）封装，便利于自动化焊接与集成，适合大规模生产。

六、总结

SI7170DP-T1-GE3 是一款杰出的 N 通道 MOSFET，非常适合于各种高电流、高频率和高效率的场合。凭借其优秀的电气性能和热管理能力，威世的此款器件能够为工程师和设计师提供更为完整与高效的解决方案，推动电子设备向着更高效、更绿色的方向发展。