SI1905BDH-T1-E3
SI1905BDH-T1-E3参数
| FET 类型 | 2 个 P 沟道（双） | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 8V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 630mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 542 毫欧 @ 580mA，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 1.5nC @ 4.5V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 62pF @ 4V |
| 功率 - 最大值 | 357mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SC-70-6（SOT-363） |
SI1905BDH-T1-E3手册
SI1905BDH-T1-E3概述
SI1905BDH-T1-E3 产品概述
产品名称: SI1905BDH-T1-E3
品牌: VISHAY（威世）
概述: SI1905BDH-T1-E3 是由 VISHAY（威世）公司设计和制造的一款高性能 P 沟道场效应晶体管（FET），严密符合各种低电压和低功耗应用的需求。该器件采用表面贴装型（SMD）封装，具体为 SC-70-6（SOT-363），非常适合现代电子设备中减少空间和提高集成度的趋势。
主要特点:
FET 类型与功能: SI1905BDH-T1-E3 采用双 P 沟道结构，非常适合处理逻辑电平信号，因而在数字电路和模拟电路中均可广泛应用。
漏源电压 (Vds): 器件的漏源电压为 8V，这使得其能够在多种电源条件下稳定工作，极大地拓宽了适用范围。
电流能力: 在 25°C 环境下，该 FET 能够支持连续漏极电流 (Id) 达到 630mA，为多种负载条件提供了强有力的支持。根据 Id 和 Vgs 的变动，最大导通电阻被限制在 542 毫欧（在 580mA、4.5V 条件下），保证了低功耗和高效能表现。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 器件的最大阈值电压为 1V @ 250µA，这意味着在较低的栅极电压下就可以实现开关控制，适合低电压逻辑设计。
输入电容 (Ciss): 器件的最大输入电容约为 62pF（在 4V 条件下），纳入了对高速开关应用的优化，确保快速开关转换。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 条件下，栅极电荷最大为 1.5nC，能够减少开关损耗，提高整体电路效率。
功率耗散: SI1905BDH-T1-E3 的最大功率耗散为 357mW，结合出色的热管理设计，在高温环境中也能稳定运行。
工作温度: 器件的工作温度范围很宽，从 -55°C 到 150°C，适用于各种严苛环境，包括工业、汽车电子及消费电子设备。
应用领域: SI1905BDH-T1-E3 适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 作为开关元件，提高电源转换效率。
- 电机控制: 能够在电机驱动电路中提供精确的控制信号。
- LED 驱动器: 控制LED灯的电流和亮度，实现亮度调节。
- 逻辑电路: 在数字信号处理和一些模拟信号处理应用中作为逻辑开关。
封装与安装: 该器件采用紧凑的 SC-70-6 封装，适合表面贴装技术。该特性使得 SI1905BDH-T1-E3 可以轻松集成到现代小型化和高密度电路板中，从而减小整体产品尺寸并提升工作效率。
结论: SI1905BDH-T1-E3 是一款功能强大、高效能、低功耗的双 P 沟道场效应晶体管，凭借其优异的电气特性和灵活的工作范围，能够满足多种电子设备和复杂应用的需求。作为 VISHAY（威世）旗下的优秀产品，SI1905BDH-T1-E3 不仅在电子设计中提供了高度的可靠性，同时确保了在高密度线拥挤的印刷电路板上能有出色的性能表现。