SI7214DN-T1-E3 产品实物图片
SI7214DN-T1-E3 产品实物图片
注:图像仅供参考,请参阅产品规格

SI7214DN-T1-E3

商品编码: BM0084327063
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
PowerPAK® 1212-8 双
包装 : 
编带
重量 : 
-
描述 : 
-
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-
数量 :
X
1.39
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.39
--
50+
¥1.07
--
1500+
¥0.976
--
18000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI7214DN-T1-E3参数

FET 类型2 N-通道(双)FET 功能逻辑电平门
漏源电压(Vdss)30V25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)4.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)40 毫欧 @ 6.4A,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)6.5nC @ 4.5V功率 - 最大值1.3W
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳PowerPAK® 1212-8 双供应商器件封装PowerPAK® 1212-8 双

SI7214DN-T1-E3手册

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SI7214DN-T1-E3概述

SI7214DN-T1-E3 产品概述

概述

SI7214DN-T1-E3 是一款由威世(VISHAY)公司制造的高性能 N-通道 MOSFET。这款双通道场效应管(FET)具有出色的电流承载能力和低导通电阻,广泛应用于各种数字和模拟电路中,特别是在低电压和高效率电源管理系统中。

主要规格

  • FET 类型: N-通道双MOSFET
  • 漏源电压(Vdss): 最大为 30V,适合多种电源电压应用。
  • 连续漏极电流(Id): 在 25°C 时,最大为 4.6A,为电路提供可靠的电流承载能力,适合多种负载条件。
  • 导通电阻: 在 6.4A 和 10V的条件下,最大导通电阻为 40毫欧,确保低功耗和高效率。
  • 栅极阈值电压(Vgs(th)): 最大 3V (在 250µA 条件下),保证设备在较低的驱动电压下能够有效导通。
  • 栅极电荷(Qg): 在 4.5V 时的最大栅极电荷为 6.5nC,确保快速开关响应,适合高频应用。
  • 最大功率损耗: 该器件的最大功率为 1.3W,适合较小的空间和低热量的设计。
  • 工作温度范围: 宽广的工作温度范围为 -55°C 至 150°C,适合极端环境条件下的应用。

安装与封装

SI7214DN-T1-E3 采用 PowerPAK® 1212-8 双封装,适合表面贴装(SMD)技术,方便在各种电路板上的集成。此封装设计旨在降低热阻,提高散热效率,从而在高速应用中表现出色。

应用场景

得益于高效的电气特性和广泛的工作温度范围,SI7214DN-T1-E3 特别适合以下应用:

  1. 电源管理: 适用于开关电源(SMPS)、DC-DC 转换器以及任何需要高效电源控制的电路。
  2. 电机驱动: 高电流承载能力使其适用于无刷直流电机(BLDC)驱动以及其他电机控制应用。
  3. 可再生能源系统: 在太阳能逆变器和风能转换系统中可提供有效控制,优化能量转换。
  4. 汽车电子: 广泛用于汽车控制单元、LED 驱动和整车电源管理。

优势

  • 高效性能: 低导通电阻和快速开关能力有助于提高系统的整体效率,减少功耗。
  • 可靠性: 大范围的工作温度和高电流承载能力确保该器件在各种严苛条件下仍能良好工作。
  • 紧凑设计: 表面贴装封装配置不仅节省空间,而且易于大规模生产和自动化生产线集成。

总结

总之,SI7214DN-T1-E3 是一款具有高度可信赖性和优异性能的 N-通道 MOSFET,适合各类现代电子应用。其高效率、低功耗和广泛的应用场景使其成为设计工程师在选择MOSFET时的理想选择。随着技术的发展,理解并选择合适的电子元器件将在提升设备竞争力和降低能耗方面发挥重要作用,而 SI7214DN-T1-E3 毫无疑问是实现这些目标的优秀伴侣。