FET 类型 | 2 N-通道(双) | FET 功能 | 逻辑电平门 |
漏源电压(Vdss) | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.6A |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 40 毫欧 @ 6.4A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 6.5nC @ 4.5V | 功率 - 最大值 | 1.3W |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 双 | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 双 |
SI7214DN-T1-E3 是一款由威世(VISHAY)公司制造的高性能 N-通道 MOSFET。这款双通道场效应管(FET)具有出色的电流承载能力和低导通电阻,广泛应用于各种数字和模拟电路中,特别是在低电压和高效率电源管理系统中。
SI7214DN-T1-E3 采用 PowerPAK® 1212-8 双封装,适合表面贴装(SMD)技术,方便在各种电路板上的集成。此封装设计旨在降低热阻,提高散热效率,从而在高速应用中表现出色。
得益于高效的电气特性和广泛的工作温度范围,SI7214DN-T1-E3 特别适合以下应用:
总之,SI7214DN-T1-E3 是一款具有高度可信赖性和优异性能的 N-通道 MOSFET,适合各类现代电子应用。其高效率、低功耗和广泛的应用场景使其成为设计工程师在选择MOSFET时的理想选择。随着技术的发展,理解并选择合适的电子元器件将在提升设备竞争力和降低能耗方面发挥重要作用,而 SI7214DN-T1-E3 毫无疑问是实现这些目标的优秀伴侣。