SI7218DN-T1-E3

SI7218DN-T1-E3 产品概述

概述

SI7218DN-T1-E3 是一款高性能的双 N-通道场效应管（MOSFET），由 VISHAY（威世）公司制造，专为要求高效率和高功率的应用设计。该器件具备卓越的电流处理能力和热管理性能，使其在各种电子系统中成为理想的选择，包括电源管理、电机驱动和高频开关电路等场景。

主要参数

• FET 类型： 双 N-通道
• 漏源电压（Vdss）： 30V
• 连续漏极电流（Id）： 24A（在25°C环境下）
• 导通电阻（RDS(on)）： 最大25毫欧（在8A，10V条件下）
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）： 最大3V（在250µA条件下）
• 栅极电荷（Qg）： 最大17nC（在10V条件下）
• 输入电容（Ciss）： 最大700pF（在15V条件下）
• 功率处理能力： 最大23W
• 工作温度范围： -55°C 至 150°C（结温TJ）
• 封装形式： PowerPAK® 1212-8 双

应用领域

SI7218DN-T1-E3 具有多种应用潜力，其主要应用领域包括：

1. 电源管理： 在开关电源和直流-直流转换器中，用于提高能效和降低能耗。
2. 电机驱动： 可用于控制直流和步进电机，提高系统的响应速度和稳定性。
3. 高频开关电路： 在高频开关应用中，低导通电阻和小栅极电荷可以有效减少开关损失，提升工作频率。

性能优势

• 低导通电阻：SI7218DN-T1-E3 提供的低导通电阻（25毫欧）确保了在高电流工作状态下的热量最小化，并改善了整体能效，延长了系统的使用寿命。
• 宽工作温度范围：通过 -55°C 到 150°C 的广泛工作温度范围，增强了器件在极端环境中的稳定性，适应性强，适合工业和汽车等领域。
• 小型化安装：其表面贴装型的设计（PowerPAK® 1212-8 双封装）使得在紧凑的电路板设计中能有效节省空间，提升了设计灵活性。

结论

SI7218DN-T1-E3 是一款具备高性能和高可靠性的MOSFET，适合于各种高电流和高功率密度的应用。其低导通电阻、高速开关能力和稳健的热管理特性，使其在现代电子设计中具有显著的优越性。作为 VISHAY 的一部分，用户可以信赖其质量和性能。对于电源管理、电机驱动和高频开关电路配置，该元器件提供了一种理想的解决方案，帮助工程师们在追求高效能和低功耗的同时，简化设计过程并提高系统的整体性能。