SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 41 毫欧 @ 5.3A，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A | FET 类型 | 2 N-通道（双） |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 840pF @ 30V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 3.7W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
SI4946BEY-T1-E3手册
SI4946BEY-T1-E3概述
产品概述：SI4946BEY-T1-E3
SI4946BEY-T1-E3是一款由VISHAY（威世）制造的高性能N沟道场效应管（MOSFET），广泛应用于电力管理和信号调节场景。该器件采用8-SOIC封装，设计用于表面贴装，适合在空间受限的电子产品中使用。
主要规格及参数
安装类型：表面贴装型，符合现代电子设备对小型化和高集成度的需求。
导通电阻：在不同漏极电流（Id）和栅源电压（Vgs）条件下，该MOSFET的最大导通电阻为41毫欧，典型的工作电流为5.3A，栅源电压为10V。这意味着在高负载条件下，SI4946BEY-T1-E3能够有效降低功耗，提升整体电路效率。
漏极电流：设备可持续承受最大漏极电流（Id）为6.5A，适合用于需要较大电流处理的应用场景。
漏源电压：该器件的最大漏源电压（Vdss）为60V，能够可靠地用于各种电压环境下。
工作温度：SI4946BEY-T1-E3的工作温度范围为-55°C至175°C，确保其在极端环境下仍能保持稳定的工作性能，适合航天、汽车电子和工业控制等要求严苛的环境应用。
输入电容：在30V的条件下，其输入电容（Ciss）最大值为840pF，这为高频信号应用提供了良好的支持。
栅极电荷：在10V的栅源电压条件下，设备的栅极电荷（Qg）最大值为25nC，这意味着它在开关时的响应速度较快，适用于高频开关应用。
阈值电压：在250µA的条件下，整体阈值电压（Vgs(th)）最大值为3V，此参数对于逻辑电平门控制至关重要。
功率能力：该MOSFET的最大功率输出为3.7W，这使得它能够满足多种电源转换和开关应用的需求。
应用场景
SI4946BEY-T1-E3的设计使其非常适合于如下应用：
- DC-DC变换器：在便携式设备及电源管理模块中，可用作开关元件，提升转换效率。
- 电源开关：在各种电源管理系统中作为开关元件，保证高效可靠的电源控制。
- 电机驱动：可用于电机驱动电路中，提高能效并降低热量产生。
- 照明控制：适应LED照明及其他照明系统的开关控制。
总结
SI4946BEY-T1-E3是一款具备优良电性能及高温兼容性的N沟道MOSFET，适合多种电子应用场景。其低导通电阻、高电流承受能力及宽工作温度范围为设计工程师提供了灵活性和可靠性，使其成为现代电子电路中不可或缺的核心元件。无论是在高效电力管理上还是在负载开关控制中，SI4946BEY-T1-E3的表现均能满足更高的性能需求。