SI7230DN-T1-E3

SI7230DN-T1-E3 产品概述

1. 产品简介

SI7230DN-T1-E3 是一款由VISHAY（威世半导体）生产的N沟道MOSFET，这款场效应管在电力电子和驱动应用中表现出色，适用于广泛的应用场合，比如电源管理、直流电机驱动和负载开关等。其设计最大漏源电压为30V，额定连续漏电流为9A，能够在高温环境下稳定工作，是现代电子产品中不可或缺的核心元件。

2. 基本参数

• FET类型: N通道
• 技术: MOSFET（毛细管金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）: 30V
• 最大连续漏极电流（Id）: 9A @ 25°C（环境温度下测试）
• 导通电阻（Rds On）: 最大值为12毫欧，测试条件为14A，Vgs为10V
• 栅极阈值电压（Vgs(th)）: 最大值为3V @ 250µA
• 栅极电荷（Qg）: 最大值为20nC，Vgs为5V
• 最大栅源电压（Vgs）: ±20V
• 最大功率耗散: 1.5W
• 工作温度范围: 从-55°C 到 +150°C
• 封装类型: PowerPAK® 1212-8，表面贴装型

3. 性能特点

SI7230DN-T1-E3的设计宗旨在于高效的功率传输和优异的热稳定性。在多种作业条件下，该MOSFET Exhibits 具有非常低的导通电阻，从而减少了功耗和发热。这一点在提升整体系统的效率上至关重要，尤其是在高频或高负载的场合。电流可达14A的工作条件下，其导通电阻仅为12毫欧，大大优化了设备的能耗。

此外，该组件的工作温度范围的广泛性 (-55°C ~ 150°C) 使得SI7230DN-T1-E3可在各种恶劣环境和严格要求的工业应用中使用，如汽车电子、航空航天及军事设备等。

4. 应用领域

SI7230DN-T1-E3广泛应用于：

• 电源管理: 作为开关模式电源（SMPS）中的主开关器件，提高能效并确保稳定性。
• 直流电机驱动: 可用于无刷直流电机和步进电机的高效驱动，适合各种自动化设备和机器人。
• 负载开关: 在各种电气设备中控制负载接入和断开，以保护电路及其负载。

5. 封装与安装

SI7230DN-T1-E3采用PowerPAK® 1212-8封装，优化了散热性能和PCB的占板面积。其小巧的表面贴装设计方便实现自动化组装，有助于缩小设备总体尺寸，并提高生产效率。

6. 结论

SI7230DN-T1-E3是现代电子设计中不可或缺的一部分，凭借其出色的可靠性、高效的电性能以及适应性强的工作环境，使其在多个行业中成为实现先进技术的理想选择。无论是在追求高效率的电源管理应用，还是在复杂的驱动系统中，SI7230DN-T1-E3均能提供卓越的表现，助力现代电子设备的创新与进步。