SI5853DDC-T1-E3
SI5853DDC-T1-E3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 105 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 12nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 320pF @ 10V |
| FET 功能 | 肖特基二极管（隔离式） | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta），3.1W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 1206-8 ChipFET™ | 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
SI5853DDC-T1-E3手册
SI5853DDC-T1-E3概述
SI5853DDC-T1-E3 产品概述
引言
SI5853DDC-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，由知名半导体制造商 VISHAY（威世）生产。它采用表面贴装的 1206-8 ChipFET™ 封装，设计上针对需要能够在低电压、低功耗的条件下有效控制和驱动电流的应用场景而优化。这款 MOSFET 不仅在仪器仪表、消费电子以及汽车电子等领域有广泛的应用前景，还能够满足高温和高密度安装环境的要求。
基本特性
类型与结构：SI5853DDC-T1-E3 是一款 P 通道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应管），其结构优势在于低导通电阻和较高的耐压能力，能够在多种电源管理和逻辑电平转换的应用中展现优越的性能。
漏源电压（Vds）：最大漏源电压为 20V，使其适合用于中低压电源的场合，能够有效防止在过电压情况下的损坏。
电流能力：在 25°C 的环境下，SI5853DDC-T1-E3 具有连续漏极电流能力高达 4A（在导热条件下），为多路供电系统提供了可靠的电流管理。
栅极驱动电压：该元件的栅极驱动电压具有两个选项：1.8V 和 4.5V，这使得它能够与多种逻辑电平直接兼容，简化了电路设计。
导通电阻：当漏极电流为 2.9A、门源电压为 4.5V 时，导通电阻（Rds On）最大值为 105 毫欧，显示出在相对小电流下也具备相当低的导通损耗，提升了整个电路的能效。
特殊参数
栅极阈值电压（Vgs(th)）：在 250µA 的漏极电流下，栅极阈值电压最大为 1V，允许在较低电压下可靠导通，适用于低电压数字电路和逻辑电平信号的开关。
栅极电荷（Qg）：最大栅极电荷为 12nC（在 8V 时测量），这意味着其在开关过程中具有更快的响应特性，适合高频率的开关应用。
输入电容（Ciss）：在 10V 的漏源电压下，最大输入电容为 320pF。这一特性在高频应用中尤为重要，能够减少信号的失真和延迟，从而提高系统的稳定性与性能。
功率耗散能力：SI5853DDC-T1-E3 的功率耗散能力高达 1.3W（环境温度）和 3.1W（结温），这使其在不同环境及负载条件下均能保持良好的散热性能。
工作环境
SI5853DDC-T1-E3 可在 -55°C 到 150°C 的宽温度范围内稳定工作，适合要求严格的工业应用及极端环境条件下的电子设备，这一特性使其对汽车电子及航空航天等领域的需求具有良好的适应性。
应用场景
基于以上特性，SI5853DDC-T1-E3 广泛应用于多个领域，包括但不限于：
电源管理：在低电压电源的开关转换、稳压电源转换等电源管理系统中，作为开关控制器有效降低功耗。
汽车电子：可用于电池管理系统、驱动电路及高温条件下的信号调节。
消费电子：广泛应用于智能手机、平板电脑及其他便携式设备中，以实现精确的电源控制和开关。
工业控制：在变频器、驱动电机及机器人控制系统中提升系统响应速度和效率。
总结
总的来说，SI5853DDC-T1-E3 是一款高效、可靠且功能丰富的 P 通道 MOSFET，其优异的参数和广泛的应用场景使得它成为现代电子设计中的理想选择。无论是在高性能电源管理，还是在高要求的工业控制和消费电子设备中，SI5853DDC-T1-E3 都能提供极佳的性能支持。