SI4172DY-T1-GE3
SI4172DY-T1-GE3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 15A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 12 毫欧 @ 11A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 23nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 820pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 2.5W（Ta），4.5W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4172DY-T1-GE3手册
SI4172DY-T1-GE3概述
SI4172DY-T1-GE3 产品概述
SI4172DY-T1-GE3 是一款由 VISHAY（威世半导体）推出的高性能 N 通道 MOSFET，特别设计用于电源管理和开关应用，其优越的参数使其在各类电子设备中得到广泛应用。该器件具有卓越的导通性能和低导通电阻，是高效率电力转换电路和开关控制电路的重要组成部分。
基本参数
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 漏源电压（Vdss）: 最高可达 30V，有效支撑多种低电压应用。
- 连续漏极电流 (Id): 15A（在 25°C 条件下），适合大功率电流下的应用。
- 驱动电压: 适配 4.5V 到 10V 的驱动电压，使得其可与多种控制信号兼容。
导通电阻与阈值电压
SI4172DY-T1-GE3 特别的导通电阻（Rds(on)）是其一大亮点。在 10V Vgs 下，Rds(on) 在 11A 时的最大值仅为 12 毫欧，确保在高电流操作时仍能保持低温和高效率。这种低导通电阻特性使其在需要高效率电能传输的应用中表现优异。
该器件的阈值电压 (Vgs(th)) 最高为 2.5V（在 250µA 流量下），使得该 MOSFET 在较低的栅极电压下就能够被有效驱动，从而提高系统的适用性和灵活性。
电气特性
SI4172DY-T1-GE3 的输入电容 (Ciss) 在 15V 下的最大值为 820pF，显示出其在高频应用下的良好响应能力。同时，栅极电荷 (Qg) 的最大值为 23nC（在 10V 下），意味着在开关频率较高的环境中，能够较快地充放电，从而提高整体系统的工作效率。
功率损耗与工作温度
该 MOSFET 的最大功率耗散为 2.5W（在环境温度 Ta）和 4.5W（在结温 Tc），使其适合在高功率的应用中安全运行。具有宽广的工作温度范围（-55°C 到 150°C），确保在极端环境下仍能稳定工作，展现了良好的可靠性。
封装与安装
SI4172DY-T1-GE3 使用 8-SO（8 引脚小外形扁平封装），这种表面贴装型的设计便于在现代电子电路中进行紧凑布局，高度适应自动贴片生产线的需求。同时，3.90mm 宽的封装设计有助于更好的散热性能和环境适应性。
应用领域
SI4172DY-T1-GE3 广泛应用于各类电子设备中，包括但不限于：
- 开关电源（Switching Power Supplies）
- 电机控制驱动
- DC-DC 转换器
- 高效能直流/交流电源
- LED 驱动电路
总结
VISHAY 的 SI4172DY-T1-GE3 N 通道 MOSFET 是一款结合了高性能、可靠性和灵活性的器件，适合用于要求高效率和低功耗的各类电源和开关应用。凭借其优异的电气特性和广泛的应用前景，SI4172DY-T1-GE3 无疑是现代电子设计中不可或缺的元件之一。