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SI4894BDY-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
-
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.4W 30V 8.9A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
0.793按整 :
-(1-有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.793
--
50+
￥0.547
--
1250+
￥0.497
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4894BDY-T1-E3参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 8.9A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11 毫欧 @ 12A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 38nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1580pF @ 15V |
| 功率耗散（最大值） | 1.4W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4894BDY-T1-E3手册
无数据
SI4894BDY-T1-E3概述
SI4894BDY-T1-E3 产品概述
一、产品基本信息
SI4894BDY-T1-E3 是 VISHAY（威世）推出的一款高性能 N 通道 MOSFET，特别适用于需要高效开关控制和高电流承载能力的电路应用。该器件具有紧凑的表面贴装（SMD）封装形式，便于在现代电子设备中集成。
二、技术规格
- FET 类型: N 通道
- 技术: MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）
- 最大漏源电压 (Vdss): 30V，适合多种低电压电源管理和开关应用。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 环境温度下，具有高达 8.9A 的连续导通能力，可以满足高电流应用需求。
- 导通电阻 (Rds(on)): 在 10V 驱动电压下，最大导通电阻为 11 毫欧，表明其在导通状态下的能量损耗极低，适用于高效率功率传输。
- 栅极阈值电压 (Vgs(th)): 最大 3V（在 250µA 下测量），使其在较低栅压下即可开始导通，增强了设计的灵活性。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 时，栅极电荷最大值为 38nC，这表明该器件具备快速开关性能，有助于减少开关损耗和提高工作效率。
- 输入电容 (Ciss): 最大值为 1580pF（在 15V 时），其较低的输入电容确保了高频率下的稳定工作，这对于高频开关电源是非常重要的。
- 功率耗散: 最大功率耗散为 1.4W（在 25°C 环境温度下），确保在高负载情况下的可靠性。
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C，适合各种恶劣工作环境。
- 封装类型: 采用 8-SOIC 封装（0.154", 3.90mm 宽），便于紧凑设计并支持自动化贴片焊接。
三、应用场景
SI4894BDY-T1-E3 MOSFET 适合多种应用场景，包括但不限于：
- 开关电源（SMPS）：其低导通电阻和高电流处理能力使其非常适合用于开关电源的主开关和同步整流。
- 高速开关应用：得益于低栅极电荷和快速开关特性，在诸如 DC-DC 转换器等应用中表现优异。
- 电机驱动：在电机控制电路中，能够提供一个高效且可靠的开关解决方案。
- 高频应用：低输入电容使该器件在涉及高频信号的应用中，能够稳定地工作。
- 电脑周边设备与消费电子：在紧凑型电子产品中，因其小巧的封装和出色的电气性能，成为非常理想的选择。
四、结论
SI4894BDY-T1-E3 作为一款高效能的 N 通道 MOSFET，不仅在电气性能上具备优势，同时其出色的热管理特性，使其在各种严苛的工作条件下依然保持稳定可靠的工作。这款 MOSFET 是现代电子设计及电力管理不可或缺的元件之一，适用于从消费类电子、通讯、汽车电子到工业控制等各个领域。设计师在选择功率开关元件时，SI4894BDY-T1-E3 无疑是一个值得考虑的优质选项。