注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRF630PBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 74W 200V 9A 1个N沟道 TO-220AB-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
2.61按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.61
--
10+
￥2.17
--
500+
￥2.01
--
1000+
￥1.86
--
6000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRF630PBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 5.4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 43nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 800pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 74W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRF630PBF手册
无数据
IRF630PBF概述
IRF630PBF 产品概述
基本信息
IRF630PBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，设计用于高电压的功率电子应用。其额定漏源电压为 200V，具有连续漏极电流能力高达 9A，同时在适当的散热条件下，能够承受高达 74W 的功率耗散。这使得 IRF630PBF 非常适合于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和其他需要高效率和高电流处理能力的应用。
关键特性
- 漏源电压 (Vdss): IRF630PBF 的最大漏源电压为 200V，使其可以用于高电压的电源系统。
- 连续漏极电流 (Id): 在 25°C 的环境温度下，该器件能够持续输出高达 9A 的漏极电流，适用于大多数工业标准。
- 导通电阻 (Rds On): 在 10V 的栅极驱动电压下，IRF630PBF 的最大导通电阻为 400 毫欧（在 5.4A 的电流下），显示出良好的导通性能，能够有效降低功耗和发热。
- 门源电压 (Vgs): 该器件的最大栅源电压为 ±20V，提供了足够的灵活性以适应不同的驱动条件，确保可靠的开关操作。
- 栅极电荷 (Qg): 在 10V 的栅源电压下，该器件的最大栅极电荷为 43nC。这一特性使得 IRF630PBF 可以实现高速开关操作，适合高频应用。
应用场景
IRF630PBF 的特性使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 开关电源: 其高电压与高电流特性，使其非常适用于开关电源的功率转换阶段。
- 电机驱动: 适合用于各种电机控制应用，能够高效驱动直流电机和步进电机，提供必要的功率和控制性能。
- DC-DC 转换器: 在各种 DC-DC 转换器中作为开关元件使用，能够有效提高系统转换效率。
- 家庭电器: 在一些高功率家庭电器中，作为开关和控制元件，以提高能效。
- 自动化设备: 在工业自动化及控制设备中，能够进行快速和高效的开关操作，提升系统的整体响应能力。
工作温度与可靠性
IRF630PBF 在工作温度范围为 -55°C 到 150°C，确保其在极端环境下的稳定和可靠运行。这一广泛的工作温度范围使得该器件在多种应用条件下都能保持优异的性能，尤其是在汽车、军事及航空航天等需高温工作的行业。
封装和安装
IRF630PBF 采用 TO-220AB 封装，符合通孔安装标准，方便与 PCB 板的连接。这种封装形式不仅方便散热，同时也提高了焊接的稳定性和可靠性。
总结
作为一款具有高性能特性和广泛应用潜力的 N 通道 MOSFET，IRF630PBF 为设计工程师提供了一种可靠且高效的方案，能够满足各种高电压和高电流的需求。其在开关电源、电机驱动和其他高功率应用中的表现出色，使其成为电子设计中的重要组件。选择 IRF630PBF，能够有效提升系统的性能，并在无论是在工业、商业还是消费电子设备中，都能完美地发挥作用。