2N7002K-T1-E3

2N7002K-T1-E3 产品概述

1. 产品简介

2N7002K-T1-E3 是一款高性能 N 沟道 MOSFET（场效应管），由全球知名电子设备制造商 VISHAY（威世）生产。该器件专为需要高开关速度和低导通电阻的应用而设计，适用于各种电子产品和电路中。其封装采用 SOT-23-3（TO-236）形式，这种小型表面贴装封装使其在空间受限的应用中尤为合适。

2. 主要规格

• FET 类型：N 沟道 MOSFET
• 技术：金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）
• 漏源电压（Vdss）：60V
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 时为 300mA
• 最大 Rds(on)：在 10V 的驱动电压下，最大导通电阻为2 欧姆（@ 500mA）
• 门极电压阈值（Vgs(th)）：最大值为 2.5V（@ 250µA）
• 栅极电荷（Qg）：最大值为 0.6nC（@ 4.5V）
• Vgs（最大值）：±20V
• 输入电容（Ciss）：最大值为 30pF（@ 25V）
• 功率耗散（Pd）：最大值为 350mW
• 工作温度范围：-55°C 到 150°C
• 封装类型：表面贴装型，SOT-23-3（TO-236）

3. 功能特点

2N7002K-T1-E3 的设计使其适用于要求严格的低功耗和高效率应用。通过优化导通电阻和高电流承受能力，该 MOSFET 可以有效地降低功耗，从而提高整个电路的性能。额定的漏源电压为 60V 使其适合于高电压环境，而 300mA 的连续漏极电流能力允许其在多种负载条件下稳定运行。

4. 应用场景

2N7002K-T1-E3 可以广泛应用于多种电子设备中，包括：

• 电源切换：在电源管理电路中，MOSFET 可用于高效的电源开关，以提高能源利用率。
• 信号开关：可作为开关元件在音频和视频信号处理系统中实现更好的信号完整性。
• 放大器电路：在高频应用中，该元件能够有效放大信号。
• 电机驱动：在小型直流电机控制中，用于实现高效、稳定的电机驱动。

5. 性能优势

• 高开关速度：高频率下的优异开关性能使其可以在快速调制和开关应用中表现出色。
• 低导通电阻：小的导通电阻减少了功耗，增强了电路的能源效率。
• 宽广的工作温度范围：广泛的温度容忍度确保该 MOSFET 能够在极端环境下良好运行，无论是在高温还是低温条件下。
• 小型封装设计：SOT-23-3 封装使得在空间有限的应用中更加灵活，便于集成到多种形式因子中。

6. 总结

2N7002K-T1-E3 是一款功能强大且广泛适用的 N 沟道 MOSFET，具备优越的电气特性和高可靠性，为现代电子设计提供了有效解决方案。其应用领域从简单的电子开关到复杂的电源管理电路均可涉及，成为工程师们设计电路时不可或缺的重要元器件。选择 2N7002K-T1-E3，将为您的设计项目带来 consistent high performance and reliability.