TK10A60D(STA4,Q,M)
TK10A60D(STA4,Q,M)参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 10A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 750 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±30V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 45W（Tc） | 工作温度 | 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220SIS |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
TK10A60D(STA4,Q,M)手册
TK10A60D(STA4,Q,M)概述
产品概述：TK10A60D(STA4,Q,M)
一、产品简介
TK10A60D是一款高性能的N沟道MOSFET，由东芝（TOSHIBA）公司生产，专为高电压应用设计。该器件具有600V的漏源电压（Vdss）和10A的连续漏极电流（Id），其在电源管理、开关电源和电机驱动等领域表现出色。这款MOSFET的功率耗散最大值为45W，并且能够承受最高150°C的工作温度，适合多种苛刻的应用环境。
二、关键特性
高电压承受能力：600V的漏源电压使得TK10A60D能够在各种高电压应用中有效运行，显著扩大了其适用范围。
优异的导通电阻：在5A电流和10V驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值仅为750毫欧，这意味着在驱动和电源效率方面具有良好的表现。
良好的栅极控制特性：Vgs(th)最大值为4V（@1mA），使得该器件能够在相对较低的栅极电压下开启，有助于实现低功耗和高效的开关操作。
快速的开关特性：最大栅极电荷（Qg）为25nC（@10V），这在一定程度上减少了驱动电路的功耗和复杂性，提高了整个电路的响应速度。
可靠的工作温度范围：其工作温度可高达150°C，适合于多种工业性质的应用，为设备的稳定性和可靠性提供了保障。
三、应用场景
TK10A60D MOSFET广泛应用于各种电子设备中，特别是在以下几个领域：
开关电源：由于其高耐压和低导通电阻特性，该MOSFET可用于开关电源转换器，提供高效的功耗管理。
电机驱动：在电机驱动应用中，TK10A60D可实现高效的电能转换，帮助提高电机的工作效率。
逆变器：在光伏和UPS系统中，作为逆变器的输出关断器件，确保系统运行的稳定性和安全性。
电源管理系统：其高压和高电流特性使得TK10A60D适用于电源管理IC中，为复杂电路提供有效的开关和控制。
四、器件封装与安装
TK10A60D采用TO-220SIS封装，这种封装结构不仅有助于散热，还便于逐步集成到各种电路中。由于其为通孔安装类型，因此能够轻松实现在各种电路板上的安装，降低整体设计复杂性。
五、总结
TK10A60D(STA4,Q,M)是一款性能优异的N沟道MOSFET，具备高耐压、低导通电阻、快速开关特性和广泛的应用前景。在现代电子产品日益追求高效、低功耗的背景下，它无疑为设计人员和工程师提供了出色的解决方案。凭借东芝品牌的信誉和可靠性能，此MOSFET定能为您的项目提供更高的性能与效率。无论是要求苛刻的工业应用还是日常消费电子产品，TK10A60D都是一个值得考虑的理想选择。